SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設備制造商的推動下，人們對無壓燒結銀的偏好越來越高。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比，燒結銀AS9378具有更高的導熱性（200至300W/mK），有可能將從結到外殼的熱阻降低40%以上，同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據(jù)下表數(shù)據(jù)可觀察到銀燒結的高使用溫度接近900℃遠超傳統(tǒng)焊料。

善仁新材的納米銀燒結工藝，通過銀原子的擴散達到連接目的。在燒結過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結頸，銀原子通過擴散遷移到燒結頸區(qū)域，從而燒結頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)孔隙網(wǎng)絡

當下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

善仁燒結銀在提高電子設備性能、降低成本、增強可靠性和促進規(guī)模化生產(chǎn)方面的重要作用。通過不斷創(chuàng)新和應用，善仁燒結銀技術正在推動電子行業(yè)的發(fā)展，滿足日益增長的市場需求?