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美國光刻膠電子級蝕刻液金屬表面半導體用

更新時間:2025-09-06 [舉報]

廈門光刻膠   美國光刻膠

  1. ?硅蝕刻液?:用于腐蝕單晶硅或多晶硅,常見配方包括(各向同性蝕刻)或KOH/TMAH(各向異性蝕刻)


  2. ?

指標名稱說明典型值
蝕刻速率單位時間內腐蝕的材料厚度鐵蝕刻≥10微米/分鐘
銅蝕刻12μm/min(50℃)
選擇性目標與非目標材料的腐蝕速率比鐵銅蝕刻比≥200
均勻性蝕刻液在表面的分布均勻性側蝕量可控制在3μm以內


標簽:美國光刻膠光刻膠
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