隨著5G移動通信、雷達探測、軌道交通、光伏發電、半導體照明、高壓輸變電等領域的快速發展，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢成為支持新基建的核心材料。

在射頻通信方面，GaN技術正助力5G通信的發展。5G移動通信從人與人通信拓展到萬物互聯，預計2025年全球將產生1000億個設備的連接。

半導體封裝材料在電力電子器件中起著信號傳遞、熱量擴散、機械支撐等作用，對半導體器件的服役能力與可靠性壽命有決定性影響。隨著半導體器件功率密度與服役溫度的提升，導電膠等封裝材料已無法滿足可靠連接的需求。只有善仁新材的燒結銀材可以滿足膏功率器件的封裝要求。