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生長Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場研究及數值模擬\隨著科學的飛速發展,出于提高生產率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產規模的擴大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴重的熱對流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結晶潛熱的散發更加困難,結晶速率難以提高。為了解決這兩個問題,本文在國產TDR-80單晶爐的基礎上,對熱場進行了局部改造,施加了新型加強復合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問題近似解的數值分析方法。由于拉單晶過程中投料量較大,爐體結構復雜、造價昂貴,所以拉晶實驗成本太高。

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單晶爐型號定義\單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的\單晶爐主要需要控制的方面一、晶體直徑（尺寸）二、溫度（功率控制）三、原料（硅料）四、泄漏率，質量等\本文由rxl提供，歡迎大家完善分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐簡介編輯/單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。購買技術主要要求1.單晶爐裝料量（單臺機產能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度） 5設備制造工藝控制保 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。