鍺烷是通式為GenH2n+2的一系列鍺與氫的化合物的總稱。一般來講鍺烷即指甲鍺烷，常溫下為有毒、易燃和無色的氣體，分子式GeH4。

鍺烷為無色、劇毒、可自燃、非腐蝕性氣體。熱穩定性差，160 ~ 180 ℃時鍺烷緩慢氧化，大約在280 ℃就能檢測到鍺烷分解為鍺和氫，在350 ℃鍺烷幾乎全部分解成單質鍺和氫氣; 鍺烷的自催化性很強，一旦分解形成了金屬覆蓋膜，就會急劇分解，故其分解爆炸危險性很高。鍺烷一般通過化學還原法、電化學反應法、等離子合成法合成，在半導體工業上有重要的用途

鍺烷為劇毒、可分解爆炸物質，因此對整個生產工藝流程設備材質的選擇和處理方面有一定的難度，特別是對反應系統的密閉性和尾氣的處理更應該重視。要考慮減少廢水、廢氣排放量，并加強處理，含鍺烷的尾氣經過無害化處理，符合排放標準方能排放。
與硅烷不同，鍺烷在空氣中不自燃。GeH4能與空氣混合而不發生化學變化，升溫至160℃-183℃才逐漸被氧化(在低壓下需要升溫至320℃才起反應)。GeH4大約在280℃分解為鍺和氫，375℃迅速分解。

鍺烷與過量氧的反應按下式進行:GeH4 + 2O2 → GeO2 + 2H2O

鍺烷與硅烷都是強還原劑，例如GeH4與硝酸銀水溶液反應能放出氫氣并析出黑色的鍺與銀的混合物。硅烷在稀堿溶液中迅速水解，而GeH4不但與稀堿溶液不反應，甚至與33%的NaOH溶液及1mol/L的HBr溶液中也不水解。

鍺烷的液氨溶液具有導電性，是由于其在液氨中發生了電離:GeH4 + NH3 → NH4 + GeH3，因此鍺烷與鈉或鉀在液氨中反應，分別生成白色固體NaGeH3和KGeH3，這兩種物質在室溫下都不穩定。
甲鍺烷在較高溫度下時分解為鍺和氫氣。這種對熱不穩定性被用于半導體工業中，即有機金屬化學氣相沉積法(MOVPE)。由于甲鍺烷毒性較大，某些有機鍺化合物(如異丁基鍺)可以替代甲鍺烷，應用于MOVPE中。

用于生產高純鍺

鍺烷作為高純單質鍺的重要來源之一，主要用于半導體，紅外技術等方面。采用鍺烷制備單質鍺具有以下優點: 鍺烷分解在較低的溫度下進行，并具有高的生產能力和高的產量，原始化合物和反應產品具有較小的反應能力，不需要補充試劑。

20 世紀60 年代以前，鍺一直是作為重要的半導體材料而被大量采用，95% 以上的鍺是用于制造半導體器件，以后由于硅材料的崛起，致使鍺在半導體領域的用量一落千丈。但鍺器件具有其它器件所無法比擬的性，鍺具有非常小的飽和電阻，幾乎無熱輻射、功耗極小等優點。紅外光學是耗鍺多的領域之一，美國和日本一直把鍺烷作為戰略儲備物資用于軍事方面。此外，鍺在光纖、催化劑、醫藥、食品等領域仍然保持著一定的消耗量，還用于電阻溫度計等。因此，即使硅材料被廣泛使用，鍺的生產也是的，而鍺烷分解法是生產高純鍺的佳方法之一。

用于太陽能電池

鍺烷在電子工業中主要用于金屬有機化合物氣相沉積( MOCVD) 工藝，作為太陽能電池的重要前驅氣體，鍺烷主要用于制作含鍺的中等帶隙的非晶硅鍺合金吸收綠光的中間層，和鍺含量更高的窄帶隙的非晶硅鍺合金吸收紅光的底層。在非晶硅或者微晶硅薄膜材料中摻入鍺元素后，硅鍺薄膜材料就能夠大幅的調節材料向窄帶隙方向移動，從而提高硅基薄膜太陽電池的光譜響應范圍和太陽電池的光吸收效率，終使得硅基薄膜太陽電池的轉換效率提高。

用于制備異質結二極晶體管

鍺烷作為硅-鍺(Si-Ge)膜的前體。主要用于制造電子器件，如集成電路、光電器件，特別是制備異質結二極晶體管。在異質結二極晶體管(HBT) 中，薄硅鍺層作為二極晶體管的基底生長在硅片上，與傳統的硅二極晶體管相比，硅-鍺HBT在速度、響應頻率和增益上具有明顯的優勢，其速度和頻率響應可以與更昂貴的鎵-砷HBT相比。

其他用途

鍺烷還應用于90 nm以上CMOS( 數碼攝像器材感光元件) 、無線網絡、3G 通訊器材半導體元件生產中的外延工藝。另外，鍺烷在擴散、離子注入等工序中也多有應用。
劇毒。本品會影響神經功能和外周血液，與其他重金屬氫化物一樣毒性很強。大鼠吸入濃度為150ppm的氫化鍺蒸氣1小時，1天后致死。家兔吸入濃度為100ppm的蒸氣時在1個月后即倒下。

急性毒性數據:

小鼠經口LD50:1250mg/kg

小鼠吸入LC50:1380mg/m
有害燃燒產物:在200℃時分解產生氫和鍺。

滅火方法:消防人員穿戴氧氣防毒面具和全身防護服,關閉泄漏鋼瓶的閥門,如無法關閉閥門,消防人員及時撤離現場。 切斷氣源，如不可能并對周圍環境無危險，讓火自行燃盡。其他情況用二氧化碳、干燥粉末滅火。

爆炸:著火時，噴霧狀水保持鋼瓶冷卻。從掩蔽位置滅火。
切斷一切火源，戴好氧氣防毒面具與手套。用排風機排送至水洗或與塔相連的通風櫥內。
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直燃+水洗式尾氣處理爐AR-FUEL WET TYPE GAS ABATEMENT SCRUBBER

SB770W 為燃氣與空氣預混動力燃燒式尾氣處理爐，燃燒腔水冷，經燃燒處理 后的尾氣經過進一步水洗、過濾后高空放散或排入中央洗滌塔。

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■應用于ETCH,CVD,DIFF 等半導體行業工藝過程中產生 的廢氣處理，氣體種類包括：

腐蝕性氣體(Cl2,F2,HCl,HF,BCl3,HBr 等 )

可燃性氣體(SiH4,TEOS,DCS 等 )




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