AS9378主要應用領域：第三代功率半導體器件、大功率發光二極管、大功率芯片、光通訊 TO 器件、大功率模塊和其他需要高導熱、導電和高強度粘接的場合。

大面積燒結銀的導熱系數為： 200W/m·K， （激光閃射法）；剪切強度為60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

目的是為你們的使用提供可能的建議。但不能取代基于你們本身的目的對該產品所做的操作性和適用性測試。由于我們無法預見各種
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大面積燒結銀的使用要求
1. 使用前回溫至室溫；
2. 使用前在行星攪拌機中進行 2500rpm/30s 攪拌處理；
3. 框架表面鍍金、銀，芯片背面鍍金、銀

大面積燒結銀適用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 對于芯片尺寸≦4×4mm，濕膠厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，濕膠厚度 90-120μm。

大面積燒結銀AS9378的樣本提供的技術參數僅供參考，它們會隨不同的工況條件，如設備類型、材質、工藝條件等改變。
使用產品之前，請仔細閱讀材料安全資料，產品及產品使用說明：