德國 ALLRESIST 紫外光刻膠

1. 紫外光刻膠（Photoresist）

1）各種工藝：噴涂膠，化學放大膠，lift-off膠，圖形反轉膠，高分辨率膠，LIGA用膠等。

2）各種波長: 深紫外(Deep UV)、I線(i-line)、G線(g-line)、長波(longwave)曝光用光刻膠。

3）各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。

• 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist）

1）電子束正膠：PMMA膠，PMMA/MA聚合物， LIGA用膠等。

2）電子束負膠：高分辨率電子束負膠，化學放大膠（高靈敏度電子束膠）等。

• 特殊工藝用光刻膠（Special manufacture/experimental sample）  

電子束曝光導電膠，耐酸堿保護膠，聚酰亞胺膠（耐高溫保護膠），全息光刻用膠，長波曝光膠，深紫外曝光膠等特殊工藝用膠。

4.配套試劑（Process chemicals） 

顯影液、除膠劑、稀釋劑、增附劑（粘附劑）、定影液等。

一．紫外光刻膠（Photoresist）

1. 正膠：

AR-P 1200 噴涂用光刻膠（Spray Coating）

適合噴涂（Spray Coating）的正性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-P 3100 薄膠

高靈敏度光刻膠，膠膜薄且均勻。在玻璃和鍍鉻表面附著力好，可用于光學器件加工、掩膜制作、激光干涉曝光等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的線條（幾十納米）。

AR-P 3200 厚膠

黏度大，可得到厚膠膜，厚度可達幾十微米，甚至上百微米。膠膜覆蓋能力好，適合粗糙的 Wafer 表面涂膠，可很好的保護結構邊緣。圖形剖面邊緣陡直。適合做LIGA或電鍍工藝等。

AR-P 3500，AR-P 3500T 通用型光刻膠

適于集成電路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金屬和氧化物表面附著力好。其中，AR-P 3500T是針對 AR-P 3500 系列進行優化，而新研制的一種光刻膠；性能和AR-P 3500相似，同時還具備了良好的耐等離子刻蝕性能，以及大的工藝寬容度。

AR-P 3700/3800 高分辨率光刻膠

可用于制作亞微米結構，如高集成電路等。甩膠層表面平整均勻，高敏感度，高對比，良好的結構穩定性，工藝要求范圍寬。AR-P 3840為染色的光刻膠，可以降低駐波和散射等的影響。

AR-P 5300 單層Lift-Off工藝用膠

Lift-off工藝用膠，利用普通的光刻工藝便可很容易得進行剝離工藝。高敏感、高分辨率，且與金屬和氧化物表面附著良好。

2. 圖形反轉膠

AR-U 4000 圖形反轉膠

通過調整工藝參數可實現正膠或負膠性能。圖形反轉工藝后，光刻膠呈現負膠性能，可以得到非常的倒梯形結果，用于lift-off工藝。

3.負膠

AR-N 2200

適合噴涂（Spray Coating）的負性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工藝

i線、深紫外曝光。適合制作亞微米圖形，專為滿足集成電路制造中的關鍵工藝要求而設計。良好的耐等離子體刻蝕性能，在金屬和氧化物表面的附著力好，并可用于lift-off工藝。