照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光。
假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發光復合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發光的復合量相對于非發光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。

眩光：視野內有亮度的物體或強烈的亮度對比，所造成的視覺不舒適稱為眩光，眩光是影響照明質量的重要因素。
同步性：兩個或兩個以上LED燈在不規定時間內能正常按程序設定的方式運行，一般指內控方式的LED燈，同步性是LED燈實現協調變化的基本要求。
防護等級：IP防護等級是將燈具依其防塵、防濕氣之特性加以分級，由兩個數字所組成，個數字代表燈具防塵、防止外物侵入的等級（分0-6級），第二個數字代表燈具防濕氣、防水侵入的密封程度（分0-8級），數字越大表示其防護等級越高。
光周期：自然界或人造的能夠影響生物有機體的亮暗循環。
光度測量：根據給定的光效函數，如V(λ)和V’(λ)，測量輻射量的方法。
光強分布：光源或者燈具在空間各個方向的光強分布。
光強曲線圖（表）：光強由極坐標或者圖表給出，表中的數值為光源在每1000流明光通時產生的光強。對于光強非對稱分布的情況，可采用兩個不同平面內的光強分布圖來表示該燈具的光強分布情況。

中國半導體照明產業發展向好，外延芯片企業的發展尤其迅速、封裝企業規模繼續保持較快增長、照明應用取得較大進展。2007年中國LED應用產品產值已超過300億元，已成為LED全彩顯示屏、太陽能LED、景觀亮化等應用產品世界大的生產和出口國，新興的半導體照明產業正在形成。國內在照明領域已經形成一定特色，其中戶外照明發展快，已有上百家LED路燈企業并建設了幾十條示范道路，但在室內通用照明市場方面仍顯落后。