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DL-78型單晶爐的熱場和減壓工藝\1前言集成電路生產的發展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應地，作為集成電路基礎材料的硅單晶生產也在不斷地提高其技術質量指標和增大單晶錠的直徑和長度，以滿足電路的要求和降低自身的生產成本。在國外市場上，硅晶體直徑大致每4～5年增長1時（25．4mm），相應地，生產投料重也由1公斤逐漸發展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個等級。在這發展中，有兩個條件是相輔相成、共同進步的，這是單晶爐和拉晶工藝。
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單晶爐設備知識、部分電控柜1.兩個濾波器的作用型號,原理以及正常工作的電壓,輸入輸出(好壞如何檢測)2.兩個伺服驅動器的作用原理型號以及相關判斷方式,輸入輸出(好壞如何檢測)3.兩個一般驅動器的作用原理型號以及判斷方式,輸入輸出(好壞如何檢測)4.繼電器的型號作用以及類別,輸入輸出(好壞如何檢測)5.反饋放大板的作用原理以及各元件名稱作用和原理圖,輸入輸出(好壞如何檢測)6.分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，2011年度，相關部門推出了一系列的激勵政策，包括2011年度的金太陽項目，太陽能光電建筑應用示范工程，以及光伏上網電價等。這些政策的出臺和實施，對光伏產業起到了很好的推動作用。在能源科技“十二五”規劃中，明確劃分了4個技術領域：勘探與開采技術、加工與轉化技術、發電與輸配電技術和新能源技術。提到2020年，光伏發電成本降低到與常規電力相當的目標，充分體現了實現由能源大國向能源強國轉變、促進光伏應用發展的決心。而能源局公布的“十二五”可再生能源目標，提出到2015年光伏發電將達到15GW，發電量200億千瓦時。核心提示：《規劃》明確了七大領域的發展方向，制定了產業發展路線圖，提出了各領域發展的標志性目標、提升整體創新能力與拓展市場應用等創新發展重大行動計劃、主要政策措施，力圖為產業發展指出更加清晰的發展方向。
