燒結銀可以解決現有存在的五個難題
總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命，穩定性和可靠性——在降低失誤率的同時簡化控制和保護電路到后的降低成本。
而在電動車輛中，電力電子器件節省空間、重量輕、并且即使在惡劣的條件下也要工作可靠。為了滿足這些要求，傳統基于模塊的封裝方式已經不能適應下游市場發展的需要，
個難題：燒結銀膏技術
在芯片與基板的連接中，傳統有基板焊接功率模塊中，焊接連接往往是模塊上的機械薄弱點。
同時在此基礎上開發出雙面銀燒結技術，將銀帶燒結在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結在散熱器上，大大簡化了模塊封裝的結構。
連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，擴大了工藝的使用范圍。在銀燒結技術中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，
善仁新材新推出的有壓燒結銀AS9385的剪切強度達到93.277MPa，剪切強度大大超過目前市面上主流的有壓燒結銀的剪切強度，大家可能對93.277MPa沒有概念，作為對比，目前市面上的德國某品牌的有壓燒結銀剪切強度為68MPa，美國某品牌的有壓燒結銀剪切強度為67MPa。
