氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的導熱性、良好的化學穩定性、強的抗輻射性、高的內、外量子效率、高的發光效率、高的強度和硬度。其耐磨性接近金剛石)。這種特性和特性可以制成率的半導體發光器件--發光二極管(即發光二極管)和激光器(簡稱LD)。并可擴展到白光LED和藍光LD。耐磨性接近金剛石的特性將有助于開啟觸摸屏、太空載具以及射頻（RF）MEMS等需要高速、高振動技術的新應用。

：主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、率、體積小、重量輕等。目前代、第二代半導體材料在輸出功率方面已達到極限并且由于GaN半導體在熱穩定性方面的優勢，很容易實現高工作脈寬和高工作比。功率增加 10 倍。

GaN具有較寬的禁帶寬度（3.4eV），以藍寶石等材料為襯底，具有良好的散熱性能，有利于器件在高功率條件下的工作。隨著III族氮化物材料和器件研發的不斷深入，GaInN藍光和綠光LED技術已經商業化，現在全球各大公司和研究機構都投入巨資研發藍光LED的競爭。