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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術領域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內不斷充入，并與爐內生成的 一氧化硅及雜質粉塵混合，由于單晶爐內的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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宿遷真空爐回收 真空流量計回收聯(lián)系電話分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，權利要求1、一種直拉式單晶生長爐，包括設于該爐頂部并伸入爐內的輸入管(12)、與輸入管(12)相連通的環(huán)形氣體分布器(11)；其特征在于經輸入管(12)輸入的氣壓為0.8×10a0.9×10a，流量為30L/min。2、 根據權利要求1所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于還包括 設于該爐的坩堝支持器(14)下方和該爐底部的排氣口 (13)之間的氣流 導向裝置(20);該氣流導向裝置(20)為碗形，其包括設于氣流導向裝 置(20)底部的中軸孔(2-1)、設于所述中軸孔(2-1)兩側的一對電 極孔(2-2)、以及設于所述中軸孔(2-1)兩側并與該爐的排氣口 (13)相 對的通氣孔(2-3);該爐的石墨中軸(21)