美國吉時利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS研究應(yīng)用領(lǐng)域：

半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)—傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和微電子
器件和工藝的參數(shù)監(jiān)控—半導(dǎo)體工藝線，生產(chǎn)
器件的建模（Modeling)—半導(dǎo)體器件的設(shè)計，集成電路的設(shè)計
可靠性和壽命測試—半導(dǎo)體器件可靠性研究
高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
納米器件研究；
光電子器件的研究（LED，OLED等）；
非易揮發(fā)性存儲器測試—Flash閃存，相變存儲器（PRAM），鐵電存儲器（FeRAM)，阻變存儲器（RRAM)等；

深圳市中瑞儀科電子有限公司

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公司地址：深圳市寶安區(qū)沙井中心路18號高盛大廈3A16

有機半導(dǎo)體特性分析
太陽能電池及光伏電池特性分析
確定樣品的電阻率和Hall載流子濃度
氧化層厚度、柵面積、串聯(lián)電阻、平帶電容、電壓、開啟電壓、體摻雜、有效氧化層電荷密度、可動電荷、金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)、德拜長度、體電勢等。
標準C-V掃描：普通MOSFET，二極管和電容器；
MOScap：測量MOS電容器上的C-V，提取參數(shù)包括氧化層電容，氧化層厚度，摻雜濃度，耗盡深度，德拜長度，平帶電容，平帶電壓，體電勢，閾值電壓，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，有效氧化層電荷；
MOSFET：對一個MOSFET器件進行一個C-V掃描。提取參數(shù)包括：氧化層厚度，氧化層電容，平帶電容，平帶電壓，閾值電壓，摻雜濃度與耗盡深度的函數(shù)關(guān)系；
壽命：確定產(chǎn)生速度并進行壽命測試（Zerbst圖）；
可動離子：使用BTS方法確定并提取平帶電壓參數(shù)確定可動電荷。包括對Hot Chuck熱吸盤的控制。在室溫下測試樣品，然后加熱后測試，然后再恢復(fù)至室溫下以確定平帶漂移電壓，從而確定可動電荷；
電容：在金屬-絕緣-金屬（MIM）電容器上進行C-V掃描和C-f掃描，并計算出標準偏差；
PN結(jié)：測量P-N結(jié)或肖特及二極管的電容與其片置電壓的函數(shù)關(guān)系；
光伏電池：測量一個發(fā)光太陽電池的正向和反向DC特性，提取參數(shù)，cui大功率，cui大電流，cui大電壓，短路電流，開路電壓，效率。同時執(zhí)行C-V和C-f掃描特性；