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單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)的設(shè)計與分析1 引 言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95%以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長開始時 ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產(chǎn)過程中 ,對晶體的提拉速度有十分嚴格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質(zhì)量。對單晶硅生產(chǎn)過程中的提拉速度控制系統(tǒng)進行研究有實際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)在單晶硅生產(chǎn)中的作用。提拉桿的運動是靠驅(qū)動電機通過減速器 ,再由齒輪齒條機構(gòu)帶動的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運動 ,而且當(dāng)提拉負載增大引起線速度為零時 ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動。在實際單晶爐中 ,對提拉控制系統(tǒng)提出的主要技術(shù)指標是 ,提拉速度在 0 .2~ 1 0 .0 mm/h范圍之內(nèi)實現(xiàn)無級可調(diào) ,線性精度大于± 2 %
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單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/,把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化;然后,對熔化的硅液稍做降溫,使之產(chǎn)生一定的過冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會在籽晶下端生長;接著,控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3~5mm的細頸,用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯,這個過程是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個過程稱為放肩;接著,突然提高拉速進行轉(zhuǎn)肩操作,分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,單晶爐熱場的設(shè)計與仿真單晶直徑在生長過程中可受到溫度,提拉速度與轉(zhuǎn)速,坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速,保護氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶,而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量,而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知。溫度分布合適的熱場,不僅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高;如果熱場的溫度分布不是很合理,生長單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量,情況嚴重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。