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半導體級直拉法的工藝控制\進入21世紀以來,隨著新興產業的科技創新,半導體行業得到了的發展。半導體產業發展迅猛,尤其近幾年,大力發展半導體產業,縮短該行業與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預見,硅材料由于其成熟的技術品質和穩定的物理化學性質,將會在相當長的一段時間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應用的領域也是相當廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經過物理變化,讓硅原子按照人為設定的方向進行生長,終形成的。一般會采用直拉法進行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設計,工藝的過程控制,減少位錯的產生,以及通過化學腐蝕對位錯進行檢測的相關問題。 藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，2011年度，相關部門推出了一系列的激勵政策，包括2011年度的金太陽項目，太陽能光電建筑應用示范工程，以及光伏上網電價等。這些政策的出臺和實施，對光伏產業起到了很好的推動作用。在能源科技“十二五”規劃中，明確劃分了4個技術領域：勘探與開采技術、加工與轉化技術、發電與輸配電技術和新能源技術。提到2020年，光伏發電成本降低到與常規電力相當的目標，充分體現了實現由能源大國向能源強國轉變、促進光伏應用發展的決心。而能源局公布的“十二五”可再生能源目標，提出到2015年光伏發電將達到15GW，發電量200億千瓦時。核心提示：《規劃》明確了七大領域的發展方向，制定了產業發展路線圖，提出了各領域發展的標志性目標、提升整體創新能力與拓展市場應用等創新發展重大行動計劃、主要政策措施，力圖為產業發展指出更加清晰的發展方向。

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