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因此在投資單晶生長企業的前期，一定要根據生長設備，配置出合理的熱場，從而保生產出來的單晶的品質。在晶體生長分析與設計中，實驗與數值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個部分：（1）在階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數值模擬參數的調整（2）在二階段,利用數值模擬是用來確定的晶體生長工藝參數。

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單晶爐提拉速度控制系統的設計與分析1　引　言半導體材料是半導體工業的基礎材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導體硅。當今 95%以上的半導體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結晶生長開始時 ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產過程中 ,對晶體的提拉速度有十分嚴格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質量。對單晶硅生產過程中的提拉速度控制系統進行研究有實際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統在單晶硅生產中的作用。提拉桿的運動是靠驅動電機通過減速器 ,再由齒輪齒條機構帶動的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運動 ,而且當提拉負載增大引起線速度為零時 ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動。在實際單晶爐中 ,對提拉控制系統提出的主要技術指標是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范圍之內實現無級可調 ,線性精度大于± 2 %分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，穿過所疼氣流導向裝置(20) 的中軸孔(2-1)，該爐的一對電極柱(15)分別穿過所述電極孔(2-2)， 該爐的排氣口 (13)與氣流導向裝置(20)的各通氣孔(2-3)相連通，氣 流導向裝置(20)的上端部(2-4)設于該爐的保溫筒(17)與發熱體(16) 之間。3、 根據權利要求2所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于所述氣流 導向裝置(20)的中軸孔(2-1)與該爐的石墨中軸(21)活動密封連接。4、 根據權利要求2或3所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于所述 氣流導向裝置(20 )的電極孔(2-2 )分別與該爐的電極柱(15 )密封連接。5、