燒結銀AS9376燒結銀的導電率? ≥1×10? S/cm（燒結后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結銀AS9376的技術優勢總結
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現有光刻、絲網印刷等HPC產線工藝。
?性能平衡：
導電率與熱導率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號傳輸與散熱。

燒結銀AS9376的長期穩定性：
抗離子遷移設計（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。

燒結銀AS9376實施建議與驗證方法
?燒結曲線設計：
推薦兩段式工藝：150℃預燒結（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。

燒結銀AS9375的可靠性測試：
PCT測試（100 bar/85℃）評估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時）監測電阻漂移率。

燒結銀AS9376的未來擴展方向
?異質集成：
結合ALD銀膜（厚度~0.3 nm）構建三維互連網絡，實現低電阻（<10?? Ω·cm2）。
?智能化材料：
引入形狀記憶聚合物（SMP）改性銀漿，實現微裂紋自修復（修復效率>90%）。