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半導體級直拉法的工藝控制\進入21世紀以來,隨著新興產業的科技創新,半導體行業得到了的發展。半導體產業發展迅猛,尤其近幾年,大力發展半導體產業,縮短該行業與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預見,硅材料由于其成熟的技術品質和穩定的物理化學性質,將會在相當長的一段時間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應用的領域也是相當廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經過物理變化,讓硅原子按照人為設定的方向進行生長,終形成的。一般會采用直拉法進行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設計,工藝的過程控制,減少位錯的產生,以及通過化學腐蝕對位錯進行檢測的相關問題。 藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，全文摘要為減少直拉式單晶生長爐的消耗的技術問題，本發明提供了一種直拉式單晶生長爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環形氣體分布器；其特征在于經輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導向裝置；其包括中軸孔、一對電極孔、以及與排氣口相對的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導向裝置的各通氣孔相連通，氣流導向裝置的上端部設于保溫筒與發熱體之間。

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如果圓柱體放在線圈，那么圓柱體周邊的溫度是一樣的，圓柱體加熱和熔化也沒有產生有害氣體、強光污染環境。中頻爐廣泛用于有色金屬的熔煉[主要用在熔煉鋼、合金鋼、特種鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、鋅等有色金屬材料的熔煉，也可用于銅、鋁等有色金屬的熔煉和升溫，保溫，并能和高爐進行雙聯運行。]、