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主電路電源電壓是否符合規(guī)定值。箱內(nèi)有無金屬或電纜線頭等異物遺留,必要時進(jìn)行清掃。不接電動機(jī),變頻器單調(diào)試:先將所有的操作開關(guān)斷開。將頻率設(shè)定(即速度設(shè)定),電位器調(diào)到值。接通主線路電源開關(guān)(一般內(nèi)部冷卻風(fēng)扇、面板等控制電路、程序電路等都同時通電),稍等一會,檢查各電路有無發(fā)熱、異味、冒煙等現(xiàn)象,各指示燈是否正常。查變頻器所設(shè)定的參數(shù),可根據(jù)實際要求修改或重新設(shè)定數(shù)據(jù)。給出正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)指令,由旋轉(zhuǎn)頻率給器,觀察頻率指示是否正確。
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Ebert等[46]在經(jīng)過O2/CF4等離子刻蝕的PDMS表面,分別采用F8等離子改性和常溫氣相沉積PFOTCS進(jìn)行改性制備了超疏水表面,并對其超疏水性能進(jìn)行了鑒定。綜上所述,采用常溫常壓CVD技術(shù)改性制得的超疏水膜層相較于sol-gel法等液相法改性制得的膜層疏水性、均勻性、化學(xué)穩(wěn)定性和環(huán)境耐久性均更。但該方法制得的超疏水膜層的疏水層很薄,通常為單分子或幾個分子層厚度,耐沖擊和磨損能力弱,僅能用于不受力的場合。離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD是指借助外部所加電場的作用引起放電,使原料氣體成為等離子體狀態(tài),變?yōu)榛瘜W(xué)上非?;顫姷募ぐl(fā)分子、原子、離子和原子團(tuán)等,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),在基材表面形成薄膜。PECVD具有常溫常壓CVD技術(shù)的絕大多數(shù)優(yōu)點,并且由于等離子體的作用及等離子體參與反應(yīng),使反應(yīng)物和基材表面均產(chǎn)生大量離子、自由基和亞穩(wěn)態(tài)物質(zhì)等活性基團(tuán),降低反應(yīng)發(fā)生的溫度,縮短反應(yīng)時間,使熱力學(xué)上難以發(fā)生的反應(yīng)變?yōu)榭赡?,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行。