在 2.45 GHz 頻率下產生的微波具有產生等離子體的特優勢。在這個頻率下，微波可以有效地與氣體的電子共振，從而提高電離效率。此外，2.45 GHz 頻率允許使用相對較小的腔體尺寸，這對于緊湊型等離子體源的設計非常有用。 微波等離子體源具有多種應用，包括：

材料處理：微波等離子體源可用于表面處理、薄膜沉積和蝕刻工藝。它們可以幫助在各種材料上沉積薄膜，或改變材料的表面特性。

等離子體源濺射是一種物理現象，指的是在等離子體能量密集區域中的離子和電子受到能量激發后從其表面飛出，造成濺射現象。這種現象常常在等離子體物理研究、薄膜沉積和半導體制備過程中出現。

等離子體源濺射通常是通過將能量注入等離子體中，激發其內部原子或分子，使其進入激發態。當這些原子或分子回到基態時，它們會釋放出能量并將部分能量轉移給周圍的粒子，導致粒子從等離子體表面濺射出來。

等離子體源濺射在許多應用中都具有重要作用，例如在薄膜沉積過程中，通過控制等離子體源濺射可以調節薄膜的成分和結構，從而影響薄膜的性能。此外，等離子體源濺射也被應用于半導體制備過程中，用來清潔和改性半導體表面，以提高器件的性能和穩定性。