早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個

PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，

晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間

電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流

和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態，這也是常態下的二極管特性。
晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個

零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。晶體

二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有

自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引

起的漂移電流相等而處于電平衡狀態

二極管主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線。
⒈正向特性
當加在二極管兩端的正向電壓（P為正、N為負）很小時（鍺管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），

管子不導通，處于“截止”狀態，當正向電壓超過一定數值后，管子才導通，電
二極管伏安特性曲線
二極管伏安特性曲線
壓再稍微，電流急劇暗加（見曲線I段）。不同材料的二極管，起始電壓不同，硅管為

0.5-0.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變

，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線Ⅱ段）。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅

管約為1微安到幾十微安，鍺管則可高達數百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，

鍺管的穩定性比硅管差。
⒊擊穿特性
當反向電壓增加到某一數值時，反向電流急劇，這種現象稱為反向擊穿。這時的反向電壓

稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1

伏到幾百伏，甚達數千伏。
⒋頻率特性
由于結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使PN結短路。導致二極管失去單向導電

性，不能工作，PN結面積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。

上海聚肯電子科技有限公司晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并
建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場
引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互
相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和
自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍
增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。pn
結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分