關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
ⅥSO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--斷態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
PGM--門極峰值功率
PG----門極平均功率

關于連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 。

可控硅的主要作用：
1、普通晶閘管基本的用途就是可控整流。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通；
2、通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ；
3、α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。

關于轉換電流變化率
當負載電流，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。