IGBT模塊的正式名稱是絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bi*olar Transistor，簡稱IGBT）。?

IGBT模塊是一種結合了雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點，具有驅動功率小、開關速度快、飽和壓降低、容量大等特點。

IGBT模塊在電力電子系統中有著廣泛的應用，特別是在變流系統、變頻器、開關電源等領域。它能夠將高壓直流電轉換為交流電，是逆變器的核心組件之一，廣泛應用于新能源電動汽車、軌道交通、智能電網、航空航天等領域。

此外，IGBT模塊的封裝技術也在不斷進步，以提高其耐用性和可靠性。常見的封裝形式包括引線型、焊針型、平板式和圓盤式，封裝技術涉及散熱管理設計、超聲波端子焊接技術等?

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