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具體地，為了減小螺釘16的上端部與上減震橡膠墊172之間的壓強，進而延長上減震橡膠墊172的使用壽命，所述螺釘16的上端部和上減震橡膠墊172之間設置有墊片173。在本實施例中，所述螺釘16設置有四個，為了當不再繼續加料時，可以更方便地將外部化料器7提升不干涉主爐室坩堝21上升的位置，并方便外部化料器7的移動、拆解和清理，連續拉晶單晶爐還包括化料器升降驅動裝置和化料器旋臂18，所述底座1上設置有立柱10，所述化料器旋臂18鉸接在立柱10上，所述化料器升降驅動裝置連接在化料器旋臂18上，所述外部化料器7連接在化料器升降驅動裝置上，以便在不繼續加料時，通過化料器升降驅動裝置驅動外部化料器7上升不干涉主爐室坩堝21上升的位置；和化料器升降驅動裝置及外部化料器7隨化料器旋臂18一起轉動。

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單晶硅生長爐的特點HD系列硅單晶爐的爐室采用3節設計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉動，便于裝料和維護等。爐筒升降支撐采用雙立柱設計，提高穩定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設備的維護。爐筒升降采用絲杠提升技術，簡便干凈。全自動控制系統采用模塊化設計，維護方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復性。爐內溫度或加熱功率控制方式可選，保控溫精度。質量流量計控制流量。真空計結合電動蝶閥實時控制爐內真空度。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，本發明的直拉式單晶生長爐中，經 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結構的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導向裝置設于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設置，有效地減小了爐內空間，便于迅速及時地 將爐內的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導向裝置的各通氣孔相連通，