新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術(shù)為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，

可實現(xiàn)高可靠、高導電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，

眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重，是不言而喻的。

目前，客戶存的大痛點是鍵合時良率低，善仁新材推出的DTS預燒結(jié)焊片優(yōu)勢是：提高芯片的通流能力和功率循環(huán)能力，保護芯片以實現(xiàn)高良率的銅線鍵合。

善仁新材的GVF9700無壓預燒結(jié)焊盤和GVF9800有壓預燒結(jié)焊盤，為客戶帶來多重便利，包括無需印刷、點膠或干燥，GVF預燒結(jié)銀焊片工藝（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以將銅鍵合線和燒結(jié)工藝很好結(jié)合在一起，同時具有較高的靈活性，可以同時讓多個鍵合線連接在預燒結(jié)焊盤上來進行頂部連接。

使用了GVF預燒結(jié)銀焊片使器件結(jié)溫可以超過200°C。因此，GVF預燒結(jié)銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。

SHAREX的預燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復合材料，由以下四個部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時固定的膠粘劑；保護膜或者承載物。

GVF預燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強度都很大。

GVF預燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以廣泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering（擴散焊）技術(shù)。簡而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢，一舉省去中間焊料，所謂大道至簡、惟精惟一，惟GVF預燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之：采用了GVF預燒結(jié)銀焊片時，降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時提高器件可靠性。