DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發展領域之一。
終端應用市場對于率、高功率密度、節能的系統設計需求日益增強，與此同時，各國能效標準也不斷演進，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關更快、導熱更好、低阻抗、更穩定等出色特性，正在不同的應用領域發光發熱。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；
