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射頻功率晶體管

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  • 中國雙極型功率晶體管市場專項調研及投資戰略研究報告
    中國雙極型功率晶體管市場專項調研及投資戰略研究報告2021-2027年 *************************************** [報告編號] 323344 [出版日期] 2021年8月 [出版機構] 中研華泰研究院 [交付..
    09月10日
  • 中國中小功率晶體管行業發展趨勢及投資戰略研究報告2021-2027年
    中國中小功率晶體管行業發展趨勢及投資戰略研究報告2021-2027年 *************************************** [報告編號] 323333 [出版日期] 2021年8月 [出版機構] 中研華泰研究院 [交付方..
    09月10日
  • 中國中小功率晶體管市場發展動態分析及投資前景預測報告2023
    中國中小功率晶體管市場發展動態分析及投資前景預測報告2023-2029年 ≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧【報告編號】: 223831【出版機構】: 【北京中研信息研究所】【出版日期】: 【2023年04月】【報..
    09月10日
  • 中國中小功率晶體管市場現狀調查與前景趨勢預測報告2021-2026年
    中國中小功率晶體管市場現狀調查與前景趨勢預測報告2021-2026年【報告編號】: 342721【出版時間】: 2021年8月【出版機構】: 中研智業研究院【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 【報告價格】:..
    09月10日
  • 晶體管BCP52
    型號:BCP52 類別:分立半導體產品 產品族:晶體管 FET 類型:P 溝道 電流:1A 電壓:60V 功率:1W 頻率:145MHz 工作溫度:150°C 封裝:SOT223
    07月31日
  • IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應功率晶體管
    深圳市星際金華優勢大量原裝出售IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應功率晶體管!!! 只做原裝 質量 現貨營銷 價格優惠 歡迎致電咨詢 IPS65R1K5CE: FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET(..
    05月19日
  • 收購廠家庫存呆料三極管二極管收購
    歡迎有庫存電子料的商戶前來聯系,中介有酬金 回收仙童電力半導體 回收 仙童功率晶體管 回收仙童功率模塊 回收仙童IGBT模塊 回收仙童IGBT單管 回收仙童二極管 回收仙童快恢復二極管
    03月22日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管詳細介紹
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性: 5.專為低內存效應而設計,提供數字預失真能力 6.內部匹配,便于使用LD q=3..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產品特性
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。Doh..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產品應用
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性: 1.優異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性,提供優異的熱穩定性。BLC10G19XS-55..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管參考數據
    BLC10G19XS-551AVZ特性: 4.更低的輸出電容,提高了Doherty應用中的性能 。。。。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。測試電路: ..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管發射距離
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能: 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功耗
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能: 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main);VGS(amp)峰值= 0.85 V,除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性: 5.專為低..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管規格參數
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能: 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main);VGS(amp)峰值= 0.85 V,除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性: 1.優異的..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功率
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性: 4.更低的輸出電容,提高了Doherty應用中的性能 。。。。#BLC10G19XS-551AV..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應用場景
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能: 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main);VGS(amp)峰值= 0.85 V,除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性: 5.專為低..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管接收距離
    BLC10G19XS-551AVZ特性: 4.更低的輸出電容,提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性: 5.專為低內存效應而設計,提供數字預失真能力 6.內部匹配,便于使用BLC10G19XS-551A..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應用方向
    BLC10G19XS-551AVZ特性: 1.優異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性,提供優異的熱穩定性。BLC10G19XS-551AVZ特性: 7.集成ESD保護 8.有關RoHS合規性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ;#Ampl..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管電壓
    BLC10G19XS-551AVZ特性: 4.更低的輸出電容,提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性: 5.專為低內存效應而設計,提供數字預失真能力 6.內部匹配,便于使用于頻率從1930 MH..
    09月10日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管待機電流
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性: 1.優異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性,提供優異的熱穩定性 4.更低的輸出電..
    09月10日
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