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氧化擴(kuò)散爐性能特點(diǎn)： ◆具有可編程的升、降溫功能 ◆采用濾波器、屏蔽板等裝置，有效解決電網(wǎng)、磁場(chǎng)的干擾 ◆windows xp全中文視窗操作系統(tǒng)，可儲(chǔ)存1000條曲線(xiàn)，每條曲線(xiàn)設(shè)置30步 ..11月04日 -
網(wǎng)帶式快速燒結(jié)爐，是針對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)發(fā)的一種集燒結(jié)、烘干于一體的燒結(jié)爐。利用紅外技術(shù)和爐膛材料，提高設(shè)備的熱效率；采用的溫度控制技術(shù)，溫度控制的度。 技術(shù)指標(biāo)： 網(wǎng)帶寬..11月04日
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網(wǎng)帶式快速燒結(jié)爐，是針對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)發(fā)的一種集燒結(jié)、烘干于一體的燒結(jié)爐。利用紅外技術(shù)和爐膛材料，提高設(shè)備的熱效率；采用的溫度控制技術(shù)，溫度控制的度。 技術(shù)指標(biāo)： 網(wǎng)帶寬度：2..11月04日
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滿(mǎn)足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。 CVD系統(tǒng)性能特點(diǎn)： 結(jié)構(gòu)形式：1—4..11月04日
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真空燒結(jié)爐主要用于電子器件、可控硅模塊、熱敏電阻、磁性材料、陶瓷金屬化行業(yè)在真空環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)、封裝、退火、焊接等工藝。 真空爐技術(shù)指標(biāo)：? 真空室工位數(shù)：1-3位 真空度：1Pa..10月31日
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網(wǎng)帶式快速燒結(jié)爐，是針對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)發(fā)的一種集燒結(jié)、烘干于一體的燒結(jié)爐。利用紅外技術(shù)和爐膛材料，提高設(shè)備的熱效率；采用的溫度控制技術(shù)，溫度控制的度。 技術(shù)指標(biāo)： 網(wǎng)帶寬..10月31日
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高純材料提純?cè)O(shè)備主要滿(mǎn)足高純砷等新材料制造行業(yè)，對(duì)材料進(jìn)行氣氛保護(hù)下的燒結(jié)、升華、還原、精餾等工藝。 主要性能指標(biāo)： 外型形式：臥式結(jié)構(gòu)，水平爐管 工作溫度：200℃—1100℃ 恒溫區(qū)..10月31日
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擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對(duì)所加工的硅 片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。 主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、 控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選..10月31日
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青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司是一家集控制技術(shù)、真空技術(shù)、熱工技術(shù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。 目前的主要產(chǎn)品有：太陽(yáng)能擴(kuò)散爐、程控高低溫?cái)U(kuò)散爐、微控高低溫?cái)U(kuò)散爐、熱氧化擴(kuò)散爐、低壓 化..10月31日
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氫氣還原爐主要用于電力電子器件、熱敏電阻、可控硅模塊、陶瓷金屬化等在氫氣氣氛保護(hù)下進(jìn)行還原、退火、合金等工藝，也可以進(jìn)行氧化工藝。 技術(shù)指標(biāo)： 工作溫度：200—1300 ℃ 加熱元件：..10月31日
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氫氣還原爐主要用于電力電子器件、熱敏電阻、可控硅模塊、陶瓷金屬化等在氫氣氣氛保護(hù)下進(jìn)行還原、退火、合金等工藝，也可以進(jìn)行氧化工藝。 技術(shù)指標(biāo)： 工作溫度：200—1300 ℃ 加熱元件：..10月31日
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滿(mǎn)足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積SiO2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。 CVD系統(tǒng)性能特點(diǎn)： 結(jié)構(gòu)形式：1—4管..10月29日
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真空燒結(jié)爐主要用于電子器件、可控硅模塊、熱敏電阻、磁性材料、陶瓷金屬化行業(yè)在真空環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)、封裝、退火、焊接等工藝。 真空爐技術(shù)指標(biāo)：? 真空室工位數(shù)：1-3位 真空度：1Pa，加..10月29日
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真空爐用于真空條件下集成電路、電力電子器件生產(chǎn)線(xiàn)對(duì)所生產(chǎn)產(chǎn)品進(jìn)行燒結(jié)、合金、退火、焊接等工藝處理。具有控溫精度高，降溫速度快等特點(diǎn)。 真空爐技術(shù)指標(biāo)： 石英管真空室：1—3室 真空..10月29日
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太陽(yáng)能擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足光伏電池生產(chǎn)線(xiàn)對(duì)125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、單晶硅硅片進(jìn)行擴(kuò)散工藝。目前有第二代閉管擴(kuò)散爐和第三代軟著陸擴(kuò)散爐。? 技術(shù)指標(biāo)： 可處理硅片尺寸：125mm×1..10月29日
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擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對(duì)所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。 主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控..10月29日
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鏈?zhǔn)綘t主要用于集成電路、電力電子器件，如橋式整流器、二極管、三極管等在氫氣、氮?dú)狻⒒驓涞旌蠚怏w的保護(hù)下進(jìn)行焊接、封裝、烘干、還原、退火等。 主要技術(shù)指標(biāo)： ◆工作溫度：200℃—1100℃ ..10月29日
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擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對(duì)所加工的硅 片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、 控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工..10月29日
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氧化擴(kuò)散爐性能特點(diǎn)： ◆具有可編程的升、降溫功能 ◆采用濾波器、屏蔽板等裝置，有效解決電網(wǎng)、磁場(chǎng)的干擾 ◆windows xp全中文視窗操作系統(tǒng)，可儲(chǔ)存1000條曲線(xiàn)，每條曲線(xiàn)設(shè)置30步 ◆自動(dòng)..10月29日
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電廠(chǎng)汽輪機(jī)濾芯 FRD.WJA1.050替代德陽(yáng)孚潤(rùn)德濾芯 電廠(chǎng)汽輪機(jī)濾芯 FRD.WJA1.050 替代德陽(yáng)孚潤(rùn)德濾芯， FRD.WJA1.050 潤(rùn)滑油過(guò)濾器濾芯是風(fēng)電齒輪箱濾芯常見(jiàn)型號(hào)之一 , 用在渦輪機(jī)工作..03月28日
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