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深圳玖譽銘電子科技有限公司 專注強茂二三極管PANJIT （深圳強茂） QQ 858531278 TEL 13528432879 PANJIT（強茂集團） （1） 保護器件：TVS、ESD/ARRAY系列 （2） MOSFET （3） （Sm..12月22日 -
面議一、產(chǎn)品簡介 PB4413-DFA低電容ESD保護具有低泄漏電流和低鉗位電壓，采用DFN250A-10L封裝，電容為0.38pF。非常適用于計算、消費電子和通信設備的TV、以太網(wǎng)1G、2.5G監(jiān)視器和主板。該產(chǎn)品符合..06月09日
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深圳東之洋實業(yè)有限公司 mbr20100fct強茂一級代理商TO-220f 臺灣強茂PANJIT 朔封 QQ2355758311 聯(lián)系熱線0755-8301356711月07日
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【小信號肖特基二極管】基本說明 一、封裝與機械性 封裝形式：采用 SOD-323 封裝，尺寸約為 2.8mm×1.5mm，這種小型化封裝適合空間受限的電路設計，能夠滿足高密度 PCB 布局的需求，廣泛應用..06月05日
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封裝形式：采用 TO-252 封裝，這種封裝形式具有較好的散熱性能，能夠適應一定功率的工作環(huán)境，同時也便于在電路板上進行焊接安裝。 主要電氣參數(shù)：反向耐壓值為 100V，可在不超過此電壓的電..06月05日
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1.基本說明 強茂BAT41ES 100V表面貼裝肖特基二極管具有的開關速度，額定電流為200mA在SOD-523表面貼裝封裝中，它非常適合自動插入，并且特別設計用于AI設備和消費電子產(chǎn)品的廣泛應用。此外，..06月05日
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面議一、產(chǎn)品簡介 PB5635-S26低電容ESD保護器采用緊湊型SOT-23 6L-1封裝具有低漏電流評級，為1uA。它非常適用于顯示器/平板顯示器、視頻圖形卡和數(shù)字視覺接口（DVI），用于計算、消費電子通信..06月09日
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一、基本說明：PCDP08120GB 1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管，在定電流下具有競爭力的VF 1.4V。它在高溫下具有的反向泄漏穩(wěn)定性，并且在TO-220AC封裝中具有高浪電流能力。它用于電動汽車..06月06日
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一、產(chǎn)品特點: RDS(ON) Max, VGS@10V: 60mΩ ，具有快速復原特性的二極管，擁有高速開關和低RDS(ON) ， 通過了雪崩測試 ，通過了Rg測試 ，符合RoHS 2.0標準的無鉛產(chǎn)品，根據(jù)IEC 61249標準采用..06月06日
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產(chǎn)品型號：PEC33712C2A-AU，屬于電路保護類的靜電防護器件（ESD）4。 封裝形式：SOT-23，這種封裝形式具有體積小、重量輕等優(yōu)點，適合在空間有限的電路板上使用1。 產(chǎn)品特點 低電容：有助..06月09日
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一、基本說明：強茂PJD60R900S 600V溝道增強型MOSFET具有高速開關特性，電流額定值為4.5A，采用TO-252AA封裝。該MOSFET設計有較低的極電荷，通常可以處理較低的功率，并且具有較高的R DS(ON)..06月06日
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有意向請聯(lián)系戴生 13360582755，超毅電子代理強茂全系列產(chǎn)品 【強茂 PJQ4439EP-AU】基本說明 強茂 PJQ4439EP-AU 是一款專為汽車電子和工業(yè)控制設計的 N 溝道 MOSFET 【強茂 PJQ4439EP-AU..05月14日
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有意向請聯(lián)系戴生13360582755 【】基本說明 強茂 PS1101 - D32 是一款榮獲 2024 亞洲金選獎年度佳 Discrete 獎項的低電容 ESD 保護元件。采用 DFN0603 - 2L 封裝，是用于靜電放電（ESD）保..05月14日
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基本說明 PZS52C10M1Q 是強茂推出的一款穩(wěn)壓二極管，屬于其 PZS 系列產(chǎn)品。它采用了的半導體制造工藝，利用 PN 結(jié)反向擊穿后電壓基本保持不變的特性來實現(xiàn)穩(wěn)壓功能。該二極管的穩(wěn)壓值標稱值..05月12日
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基本說明 PJQ2566 屬于強茂的中壓 MOS 管系列產(chǎn)品，采用了的半導體制造工藝，具有 P 溝道結(jié)構(gòu)。P 溝道 MOS 管的特性是當柵源電壓（VGS）小于一定的值時就會導通，適合用于源極接 VCC 的驅(qū)動..05月12日
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深圳市品尚品電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應商,代理以及經(jīng)銷20多條產(chǎn)品線，JCET、LRC、ST、panjit（強茂）、LGE、ROHM、AVX、KEMET、JJM（捷捷微）、STARSEA（星海）。多年來一直致..12月20日
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