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非晶硅電子遷移率

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  • 全球及中國高電子遷移率晶體管行業發展動態及投資前景趨勢報告
    全球及中國高電子遷移率晶體管行業發展動態及投資前景趨勢報告2021~2027年 【報告編號】:398279 【出版時間】: 2021年8月 【出版機構】: 華研中商研究網 【報告價格】:【紙..
    09月12日
  • 伊頓穆勒	PKZM0-6.3	開關
    高頻逆變式整流焊機電源是一種、、省材的新型焊機電源,代表了當今焊機電源的發展方向。由于IGBT大容量模塊的商用化,這種電源更有著廣闊的應用前景。逆變焊機電源大都采用交流-直流-交流-直流(..
    09月12日
  • AB	1769-ECL	模塊
    而數據傳輸基本上也是通過電力傳輸線——即經由電網本身——實現的。 西門子伺服電機代理商智能電表的應用正在催生新的業務模式”,西門子抄表服務公司的Philip Skipper解釋道,“在很多情況下,復..
    09月12日
  • 全球高電子遷移率晶體管(HEMT)市場機遇與挑戰
    高電子遷移率晶體管(HEMT)市場報告是對中國高電子遷移率晶體管(HEMT)市場數據和趨勢的研究分析。報告的分析內容包括行業背景、發展環境、高電子遷移率晶體管(HEMT)市場規模與變化趨勢、..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率選型表
    MGF4964BL-01包裝信息 磁帶和卷軸 4000 個/卷軸 通過無鉛認證 MGF4964BL-01是符合 RoHS 標準的產品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值) f=20GHz 時的高..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01質量等級:GG MGF4964BL-01偏置條件: VDS=2V,內徑=10mA低噪聲 主要用于無線通信系統(如無線電、..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率能耗
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包裝信息 磁帶和卷軸 4000 個/卷軸 通過無鉛認證 MGF4964BL-01是符合 RoHS 標準的產品。低噪聲放..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率電壓
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率產品特性
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲放大器的設計目標是將噪聲..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率接收距離
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包裝信息 磁帶和卷軸 4000 個/卷軸 通過無鉛認證 MGF4964BL-01是符合 RoHS 標準的產品。低噪聲放..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率待機電流
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率數據手冊
    低噪聲放大器芯片(Low Noise Amplifier,簡稱LNA)是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。低噪聲放大器的設計目標是將噪聲功率降到最小,以提高信號與噪聲之間的信噪比。為了實現這一目標,..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率發射距離
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。低噪聲放大器芯片通過優化電路設計和使用高..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率代理商
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。低噪聲放大器芯片(Low Noise Amplifier,簡稱LNA)是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。使用合適的增益控制和反饋技術。增..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率參考數據
    MGF4964BL-01包裝信息 磁帶和卷軸 4000 個/卷軸 通過無鉛認證 MGF4964BL-01是符合 RoHS 標準的產品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值) f=20GHz 時的高..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。低噪聲放大器芯片(Low Noise Amplifier,簡稱LNA)是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。低噪聲放大器的設計目標是將噪聲功..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高電子遷移率接收距離
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲放大器的主要功能是將信號..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高電子遷移率電壓
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。降低器件本身的噪聲。選擇低噪聲元件和設計合理的電路結構,以降低器件本身帶來的噪聲貢獻。優化放大器的輸入和..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高電子遷移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、設計用于K波段放大器; 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs ..
    09月12日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高電子遷移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmi..
    09月12日
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