應用范圍：
一、玻璃：平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
二、陶瓷及耐火材料：瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
三、建筑：混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標準砂）等
四、化工：硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
五、機械：鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
六、電子：高純度金屬硅、通訊用光纖等
七、橡膠、塑料：填料（可提高耐磨性）
八、涂料：填料（可提高涂料的耐候性）。
九、冶金：硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑 。
十、航空、航天：其內(nèi)在分子鏈結(jié)構(gòu)、晶體形狀和晶格變化規(guī)律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、高度絕緣、耐腐蝕、壓電效應、諧振效應以及其特的光學特性。
常用包裝為25KG和50KG.

優(yōu)良的自然石英,經(jīng)由過程怪異的低溫處置工藝加工而構(gòu)成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉(zhuǎn)為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
　　一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
　　五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內(nèi)線本領(lǐng),并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數(shù).
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產(chǎn)生必定水平的熱收縮,恰好抵償環(huán)氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使?jié)沧Ⅲw不變形.
　　七、極低的熱收縮系數(shù)、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業(yè):電子質(zhì)料、高功效環(huán)氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質(zhì)料、珠寶行業(yè)、特種陶瓷質(zhì)料、特種耐火質(zhì)料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質(zhì)料行業(yè),日用化工,粘合劑,塑料,PTC質(zhì)料、航空、航天、齒科質(zhì)料和硅橡膠等中填料,各種產(chǎn)業(yè)庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

硅微粉：在業(yè)內(nèi)人們將具有相應純度的石英礦研磨所得的超細粉或通過化學所得的二氧化硅（如白炭黑）細粉都有稱硅微粉。

石英粉：以石英原礦通過不同的加工設備粉碎所獲得的粉體。

硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英經(jīng)高溫熔融、冷卻后的非晶態(tài)SiO2）經(jīng)破碎、球磨（或振動、氣流磨）、浮選、酸洗提純、高純水處理等多道工藝加工而成的微粉。

微硅粉的細度：硅灰中細度小于1微米的占80%以上，平均粒徑在0.1～0.3微米，比表面積為：20～28m2/g。其細度和比表面積約為水泥的80～100倍，粉煤灰的50～70倍。石英粉常用規(guī)格為400目，800目，1000目，1500目及2000目。

微硅粉的生產(chǎn)方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經(jīng)旋風分離除去雜質(zhì)，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經(jīng)粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經(jīng)精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質(zhì)含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內(nèi)，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結(jié)晶，用酸除去雜質(zhì)，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉(zhuǎn)化成易于提純的液體或氣體形式，再經(jīng)蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。