石英粉是用純石英（天然石英或熔融石英）經破碎、揀選、清洗、酸處理、高溫熔化、中碎、細磨、分級、除鐵等多道工序加工而成的符合使用要求的粉體。石英粉分干法和水法兩種生產方式，各種常規規格：100M，150M，200M，325M，400M，600M，1500M及2000M(M為目數)。另外也可按客戶要求加工異型規格，要求粒度分布的一般也可加工。石英粉不分等級，只分規格。因其具備白度高，無雜質、鐵量低等特點，故應用范圍廣。

應用范圍：
一、玻璃：平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
二、陶瓷及耐火材料：瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
三、建筑：混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標準砂）等
四、化工：硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
五、機械：鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
六、電子：高純度金屬硅、通訊用光纖等
七、橡膠、塑料：填料（可提高耐磨性）
八、涂料：填料（可提高涂料的耐候性）。
九、冶金：硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑 。
十、航空、航天：其內在分子鏈結構、晶體形狀和晶格變化規律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數小、高度絕緣、耐腐蝕、壓電效應、諧振效應以及其特的光學特性。
常用包裝為25KG和50KG.

石英粉分干法和水法兩種生產方式，各種常規規格：120M，200M，260M，325M，600M,800M,1000M及2000M(M為目數)。另外也可按客戶要求加工異型規格，要求粒度分布的一般也可加工。

石英粉分干法和水法兩種生產方式:
　　1、干法生產石英粉，主要設備有磕石機、粉碎機、振動篩等。其工藝流程為石英石礦料經過磕石機加工成較小石料，石料再經過粉碎機加工砂粒，然后經過振動篩篩分，在篩分過程中利用磁鐵棒和排磁鐵除鐵，然后分裝完畢入庫。
　　2、水法生產石英粉，主要設備有磕石機、石碾、烤房、振動篩、水路系統等。
　　其工藝流程大致如下：石英石礦料經過磕石機加工成較小石料，石料再經過石碾碾壓成砂粒，碾壓時不停的加水，水帶著砂粒流入沉淀池內，再把沉淀池內的砂粒運入烤房烘烤成干砂粒，然后再經過振動篩篩分，在篩分過程中利用磁鐵棒和排磁鐵除鐵，然后分裝完畢入庫。

石英粉的用途：用于玻璃行業可制造各種平板玻璃、夾絲玻璃、壓花玻璃、空心玻璃、泡沫玻璃、玻璃磚、各類包裝瓶罐，玻璃器皿如：啤酒瓶、玻璃杯、保溫瓶及裝飾品，可以制造光學玻璃，玻璃儀器，玻璃纖維，導電玻璃，玻璃不及防射線特種玻璃。鑄造行業用于造型用沙。冶金行業可作冶煉添加劑，熔劑及各種硅鐵合金。耐火材料行業可作窯用高溫磚，普通磚及耐火材料等。水泥行業可作沙子水泥配料，加氣混凝土，普通制品等。化學工業可制造水玻璃、硅膠、干燥劑，石油精煉催化劑。制造外墻涂料，馬路畫線漆等。

優點：
1、顯著提高抗壓、抗折、抗滲、防腐、抗沖擊及耐磨性能，顯著延長砼的使用壽命，特別是在氯鹽污染侵蝕、硫酸鹽侵蝕、高濕度等惡劣環境下，可使砼的耐久性提高一倍甚至數倍。　　
2、具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應用可降低成本。提高耐久性。　
3、提高澆注型耐火材料的致密性，在與Al2O3并存時，更易生成莫來石相，使其高溫強度，抗熱振性增強。　　
從而被廣泛應用于光學玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、醫藥、化裝品、電子元器件以及超大規模集成電路、移動通訊、手提電腦、航空航天等生產領域。

微硅粉的細度：硅灰中細度小于1微米的占80%以上，平均粒徑在0.1～0.3微米，比表面積為：20～28m2/g。其細度和比表面積約為水泥的80～100倍，粉煤灰的50～70倍。石英粉常用規格為400目，800目，1000目，1500目及2000目。

硅微粉能夠填充水泥顆粒間的孔隙，同時與水化產物生成凝膠體，與堿性材料氧化鎂反應生成凝膠體。在水泥基的砼、砂漿與耐火材料澆注料中，摻入適量的硅灰，可起到如下作用：
⒈顯著提高抗壓、抗折、抗滲、防腐、抗沖擊及耐磨性能。
2.具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。
⒊顯著延長砼的使用壽命。
⒋大幅度降低噴射砼和澆注料的落地灰，提高單次噴層厚度。
⒌是高強砼的必要成份，已有C150砼的工程應用。
⒍具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應用可降低成本，提高耐久性。
⒎有效防止發生砼堿骨料反應。
⒏提高澆注型耐火材料的致密性。在與Al2O3并存時，更易生成莫來石相，使其高溫強度，抗熱振性增強。
微硅粉的生產方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經旋風分離除去雜質，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態三氯氫硅冷凝成液體，經粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。