顯示屏幕的對比度影響著視覺成像效果，高對比度，提升畫面清晰度、顏色鮮亮，并有效地提升圖像畫質的細節質感、清晰程度、灰度等級。此外，對比度還對動態視頻的分辨轉換帶來一定影響，高對比度可使肉眼更易于分辨動態圖中的明暗轉換過程。

適用性：很小，每個單元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制備成各種形狀的器件，并且適合于易變的環境。

早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。 到了80年代初，出現了GaAlAs的LED光源，使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。 90年代初，發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

目前已商品化的種產品為藍光單晶片加上YAG黃色熒光粉，其好的發光效率約為25流明/瓦， YAG多為日本日亞公司的進口，價格在2000元/公斤；第二種是日本住友電工亦開發出以ZnSe為材料的白光LED，不過發光效率較差。

GaN芯片發藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合，可以得到得白光?，F在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

廣泛應用于：廣場、國慶慶典、休閑廣場、大型娛樂廣場、繁華商貿中心、廣告信息發布牌、商業街、火車站、候車室、演藝中心、電視直播現場、展覽場館、演唱會現場等場所。