多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機多同時可支持16張不同分辨率的發射卡,單機高可以支持30720*1080 LED點陣。多臺機器級聯可以實現無限幅度的LED點陣實時動態顯示。 可以任意配置發射卡進行LED點陣堆砌，可以自由選擇灰度級數。可以任意設置單個LED發射卡的輸出內容點陣。

超大場景顯示 顯示條件：多張發射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿屏模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器，在整個LED屏體上滿屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時，畫面將出現自動拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應用于背景影像內容的顯示； B．等比模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器時，根據輸入信號的比例格式，等比例在整個LED屏體上。畫面等比顯示時， LED屏體的上下或者左右會因為沒有內容顯示而曾現黑色。該模式往往應用于人像顯示或者領導講話的場景內容。 C．全屏等比模式 輸入的信號通過LED圖像拼接處理器時，根據輸入信號的比例以及屏體的顯示點陣分布情況，將輸入的內容采用像素抓取技術，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個LED屏體上放大顯示。該模式應用于對現場情景需要展現的內容；

早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合，可以得到得白光?，F在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發光效率,高照明方面有著誘人的前景.