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功率管發(fā)熱
關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。
功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。
開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。
頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。
想辦法降低頻率吧!不過要注意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。
這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象，降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。
對(duì)于前者，注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，雖然負(fù)載電壓高，效率會(huì)高點(diǎn)。
對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面：
a、將小電流設(shè)置的再小點(diǎn)；
b、布線干凈點(diǎn)，特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑；
c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感；
d、加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，不過對(duì)于照明來說應(yīng)該夠了。
無論如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。
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