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功率管發(fā)熱
關(guān)于這個問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。
功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導通損耗。
要注意，大多數(shù)場合特別是LED市電驅(qū)動應用，開關(guān)損害要遠大于導通損耗。
開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。
這個也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象，降頻主要由兩個方面導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。
對于前者，注意不要將負載電壓設(shè)置的太高，雖然負載電壓高，效率會高點。
對于后者，可以嘗試以下幾個方面：
a、將小電流設(shè)置的再小點；
b、布線干凈點，特別是sense這個關(guān)鍵路徑；
c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感；
d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大，不過對于照明來說應該夠了。
無論如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。
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