利用室內(nèi)全彩系統(tǒng)緩解系統(tǒng)顯示傳輸大量復(fù)雜數(shù)據(jù)存在的隱患，充分進(jìn)行全真彩色還原。利用芯片完成數(shù)據(jù)分配顯示任務(wù)，對(duì)接收數(shù)據(jù)進(jìn)行脈沖輸出轉(zhuǎn)換，由8位（8bit）顯示數(shù)據(jù)向12位的PWM轉(zhuǎn)換，提升為4096（12bit）級(jí)灰度控制，實(shí)現(xiàn)屏幕顯示非線性256級(jí)視覺灰度，充分營造全真色彩視覺享受。

改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過化學(xué)修飾方法，調(diào)整材料的能帶結(jié)構(gòu)和帶隙，實(shí)現(xiàn)紅黃綠藍(lán)橙多色發(fā)光。如小電流時(shí)為紅色的LED，隨著電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬?，黃色，后為綠色。

早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動(dòng)電流為20 毫安時(shí)，光通量只有千分之幾個(gè)流明，相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。
70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F(xiàn)在，對(duì)于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅(qū)動(dòng)于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.

在LED業(yè)者中，日亞化學(xué)是早運(yùn)用上述技術(shù)工藝研發(fā)出不同波長的高亮度LED，以及藍(lán)紫光半導(dǎo)體激光（Laser Diode；LD），是業(yè)界握有藍(lán)光LED專利權(quán)的重量級(jí)業(yè)者。在日亞化學(xué)取得藍(lán)色LED生產(chǎn)及電極構(gòu)造等眾多基本專利后，堅(jiān)持不對(duì)外提供授權(quán)，僅采自行生產(chǎn)策略，意圖占市場，使得藍(lán)光LED價(jià)格高昂。但其他已具備生產(chǎn)能力的業(yè)者相當(dāng)不以為然，部分日系LED業(yè)者認(rèn)為，日亞化工的策略，將使日本在藍(lán)光及白光LED競爭中，逐步被歐美及其他國家的LED業(yè)者搶得先機(jī)，屆時(shí)將對(duì)整體日本LED產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重傷害。因此許多業(yè)者便千方百計(jì)進(jìn)行藍(lán)光LED的研發(fā)生產(chǎn)。