多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機多同時可支持16張不同分辨率的發射卡,單機高可以支持30720*1080 LED點陣。多臺機器級聯可以實現無限幅度的LED點陣實時動態顯示。 可以任意配置發射卡進行LED點陣堆砌，可以自由選擇灰度級數。可以任意設置單個LED發射卡的輸出內容點陣。

多路信號同步實時顯示 顯示條件：多張發射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現功能：選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時顯示。

根據用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，包括窗口顯示、疊加、漫游等，具體為： A．疊加模式 以主采集信號為背景在LED屏體上顯示，其他信號通過子采集卡以畫面疊加方式開窗顯示； B．分屏模式 多路信號通過 LED拼接圖像處理器后，分別輸送給每張發射卡顯示不同的畫面內容；處理的信號路數與發射卡的路數相同。 C．主題模式 多路信號通過 LED拼接圖像處理器后，對于某路需要特別的信號，可以分送給多張發射卡顯示一大幅的畫面，其他信號別輸送給每張發射卡立顯示；

采用LED光源進行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個照明市場進軍，將會節約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實用性。

LED的價格比較昂貴，較之于白熾燈，一只LED的價格就可以與幾只白熾燈的價格相當，而通常每組信號燈需由上300～500只二極管構成。

90年代初，發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合，可以得到得白光。現在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

表一列出了目前白色LED的種類及其發光原理。從表中也可以看出某些種類的白色LED光源離不開四種熒光粉：即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結構的黃色粉，在未來較被看好的是三波長光，即以無機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉，用于封裝LED白光，預計三波長白光LED有商品化的機機會。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小，穩定性要求也高，具體應用方面還在探索之中。

近幾年,白光LED的研發成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發光效率,高照明方面有著誘人的前景.