IPip66DCDC24

照明亮化廣泛應用于以下場景：
?城市亮化?：包括建筑立面、輪廓、屋頂等部位的照明設計，建筑的特點和風格。
?樓體亮化?：對商務樓、住宅小區、銀行醫院等公共建筑進行燈光裝飾，提升建筑的藝術感和美感。
?園林亮化?：通過燈光技術表現園林景觀的夜間空間藝術，增添園林的美感和觀賞性。
?道路照明?：確保夜間行車安全，提高道路使用效率，采用節能的LED燈具，營造舒適的夜間行車環境。
照明亮化的技術要求和未來發展趨勢
照明亮化工程需要注重節能環保，采用節能的照明設備和智能控制系統，減少能源消耗和光污染，實現綠色照明。隨著技術的發展，LED燈具因其節能、命、易維護等特點，已成為亮化工程中的主流選擇。

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光。
假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發光復合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發光的復合量相對于非發光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發熱、損壞。
（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。
（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發光二極管可能被擊穿損壞。
（4）工作環境topm:發光二極管可正常工作的環境溫度范圍。低于或此溫度范圍，發光二極管將不能正常工作，效率大大降低。
不改變材質的前提下，在LED的極限范圍內，提高亮度的手段就是提高電流，隨著電流升高，LED發熱量會劇增。使用過LED光源便攜投影機的，或微投的朋友，一定都深有體會，LED光源的投影機，非常熱，而且普遍會有明顯的噪音。這些產品，機身小是一方面，關鍵還是其自身發熱量較大所致。
隨著功率的增加，LED的散熱問題顯得越來越，大量實際應用表明，LED不能加大輸入功率的基本原因，是由于LED在工作過程中會放出大量的熱，使管芯結溫迅速上升，熱阻變大。輸入功率越高，發熱效應越大。溫度的升高將導致器件性能變化與衰減，非輻射復合增加，器件的漏電流增加，半導體材料缺陷增長，金屬電極電遷移，封裝用環氧樹脂黃化等等，嚴重影響LED的光電參數。甚至使功率LED失效。因此，對于LED器件，降低熱阻與結溫、對發光二極管的熱特性進行研究顯得日趨重要。