產品別名 |
JH3014側發光燈珠 |
面向地區 |
全國 |
大功率LED不可歸類到貼片系列,它們功率及電流使用皆不相同,且光電參數相差甚巨。單顆大功率LED光源如未加散熱底座(一般為六角形鋁質座),它的外觀與普通貼片無太大差距,大功率LED光源呈圓形,封裝方式基本與SMD貼片相同,但與SMD貼片在使用條件/環境/效果等都有著本質上的區別。
半導體發光二極管和半導體激光器類似,也是一個PN結,也是利用外電源向PN結注入電子來發光的。半導體發光二極管記作LED,是由P型半導體形成的P層和N型半導體形成的N層,以及中間的由雙異質結構成的有源層組成。有源層是發光區,其厚度為0.1~0.2μm左右。
電致發光現象發現于1923年,當時并沒有引起人們的注意。隨著近代技術的發展,對發光器件提出了新的要求,希望發光管簡單、可靠、壽命長、價格低、小型化。所以自60年代開始電致發光的研究非常活躍。
此式稱為玻爾條件。式中h=6.626×10-34J·s。當發光二極管工作時,在正偏下,通常半導體的空導帶被通過結向其中注入的電子所占據,這些電子與價帶上的空穴復合,放射出光子,這就產生了光。發射的光子能量近似為特定半導體的導帶與價帶之間的帶隙能量。這種自然發射過程叫作自發輻射復合(圖1)。顯然,輻射躍遷是復合發光的基礎。注入電子的復合也可能是不發光的,即非輻射復合。在非輻射復合的情況下,導帶電子失去的能量可以變成多個聲子,使晶體發熱,這種過程稱為多聲子躍遷;也可以和價帶空穴復合,把能量交給導帶中的另一個電子,使其處于高能態,再通過熱平衡過程把多余的能量交給晶格,這種過程稱為俄歇復合。隨著電子濃度的提高,這種過程將變得更加重要。帶間躍遷時,輻射復合和非輻射復合的兩種過程相互競爭。有的發光材料表現為輻射復合占優勢。
光通信用 LED的發射波長在光纖呈現低損耗的窗口區。0.8~0.9微米的GaAlAs-GaAs發光管和1.3~1.6微米的InGaAsP-InP發光管,波長分別落在石英纖維的和第二個透明窗口。為了與纖維耦合,光可以從LED的一面或一邊提取。
在低壓(低于2伏)、小電流(幾十毫安至200毫安)下工作,功耗小、體積小、可直接與固體電路連接使用;穩定、可靠、壽命長(105~106小時);調制方便,通過調制LED的電流來調制光輸出;光輸出響應速度比較快(1~100兆赫);價格便宜。 應用 LED可用作指示燈、文字-數字顯示、光耦合器件、光通信系統光源等。 LED光通量的計算 φ=2πì(1-cos?α)