凸焊陶瓷定位銷(xiāo)_廠家
產(chǎn)品別名 |
工業(yè)陶瓷產(chǎn)品,精密陶瓷制品,氮化硅陶瓷零件,精密陶瓷結(jié)構(gòu)件 |
面向地區(qū) |
全國(guó) |
品牌 |
RMT |
用途 |
電子元器件 |
產(chǎn)品等級(jí) |
研磨氧化鋁 |
功能 |
高頻絕緣陶瓷 |
加工定制 |
是 |
特性 |
耐磨耐高溫陶瓷 |
微觀結(jié)構(gòu) |
多晶與玻璃相 |
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氮化硅主要由氮化硅組成,耐熱沖擊性和高溫強(qiáng)度。這些特性使其成為汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)和燃?xì)廨啓C(jī)中的理想材料。它可用被應(yīng)用于渦輪增壓器轉(zhuǎn)子、柴油發(fā)動(dòng)機(jī)中的發(fā)熱插頭和帶電插拔中,還被用于很多其它不同應(yīng)用中。(欲知詳情,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我公司wx。)
【氮化硅陶瓷特點(diǎn)】
1、氮化硅在高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性。它被用作為汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、燃?xì)廨啓C(jī)和燃燒室零部件中的高溫結(jié)構(gòu)件。
2、氮化硅的熱膨脹系數(shù)小,同時(shí)具有的耐熱沖擊性。
【氮化硅陶瓷工藝特點(diǎn)】
1、成型工藝
工業(yè)陶瓷常見(jiàn)成型工藝簡(jiǎn)介
注漿成型
在新型陶瓷生產(chǎn)中,對(duì)機(jī)械強(qiáng)度,幾何尺寸,電氣性能要求同的新型陶瓷產(chǎn)品,一般不用注漿成型方法于生產(chǎn)一些形狀復(fù)雜且不規(guī)則、外觀尺寸要求不嚴(yán),薄壁及大型厚胎的制品。
注漿成型有空心注漿和實(shí)心注漿兩種方法,為了提高注漿速度和質(zhì)量又出現(xiàn)了壓力注漿、離心注漿、真漿等方法。
2、燒結(jié)工藝
常壓燒結(jié)法(PLS)
在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?利用氮化硅 分解溫度升高(通常在N2 = 1atm 氣壓下,從1800℃開(kāi)始分解)的性質(zhì),在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后,再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)氮化硅 陶瓷組織致密化,從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點(diǎn)與熱壓燒結(jié)相似。
氣壓燒結(jié)法(GPS)
近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究,獲得了很大的進(jìn)展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮阂种屏说璧母邷胤纸狻S捎诓捎酶邷責(zé)Y(jié),在添加較少燒結(jié)助劑情況下,也足以促進(jìn)氮化硅晶粒生長(zhǎng),而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無(wú)論在實(shí)驗(yàn)室還是在生產(chǎn)上都得到越來(lái)越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨性,可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品,從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi)用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝,適用于大規(guī)模生產(chǎn)
3、生產(chǎn)工藝流程
它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形狀,在氮?dú)庵屑?200℃的高溫下進(jìn)行初步氮化,使其中一部分硅粉與氮反應(yīng)生成氮化硅,這時(shí)整個(gè)坯體已經(jīng)具有一定的強(qiáng)度。然后在1350℃~1450℃的高溫爐中進(jìn)行第二次氮化,反應(yīng)成氮化硅。用熱壓燒結(jié)法可制得達(dá)到理論密度99%的氮化硅。
【氮化硅陶瓷實(shí)拍圖】
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【氮化硅陶瓷制備】
低溫放電等離子燒結(jié)法制備 氮化硅陶瓷:
分別以MgO–Al2O3或MgO–AlPO4作為燒結(jié)助 劑,采用放電等離子體低溫快速燒結(jié)方法制備了主 相為α相的氮化硅 陶瓷材料。溫度對(duì)陶瓷樣品的相對(duì) 密度與力學(xué)性能的影響。
結(jié)論
當(dāng)采用4%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)MgO-4%Al2O3燒結(jié)助劑時(shí),1400℃燒結(jié)的陶瓷樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度達(dá)到高,分別為81%和182MPa,且隨燒結(jié)助劑中Al2O3含量的增加,樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度降低。 而當(dāng)采用4% MgO–16%AlPO4 燒結(jié)助劑時(shí),1300℃燒結(jié)的陶瓷樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度分別達(dá)到96%和366.5MPa,且樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度隨燒結(jié)溫度的升高而增大。 表明MgO–AlPO4可以用作氮化硅低溫?zé)Y(jié)的一種有效燒結(jié)助劑,可降低陶瓷的燒結(jié)溫度和提高其力學(xué)強(qiáng)度。
【氮化硅陶瓷性能】
α/β 相變對(duì)多孔氮化硅陶瓷介電性 能的影響:
采用反應(yīng)燒結(jié)工藝,通過(guò)添加硬脂酸,制備孔 徑為0.8 mm,孔隙率在55%左右的具有宏觀球形 孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了α/β 相變對(duì)多孔氮化硅陶瓷介電性能的影響。通過(guò)調(diào)節(jié)氮化溫度和時(shí)間,可得到具有不同β 相相對(duì)含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的多晶氮化硅陶瓷。
結(jié)論
氮化溫度1400℃時(shí)發(fā)生α/β相變,隨著 氮化溫度的提高和時(shí)間的延長(zhǎng),β相的相對(duì)含量增 加,氮化硅的微觀形貌也發(fā)生明顯變化,由針狀和 絮狀形貌轉(zhuǎn)變成片狀形貌后形成長(zhǎng)柱狀結(jié)構(gòu)。 α/β 相變使樣品的相對(duì)介電常數(shù)ε′和介電損耗 tan δ都呈現(xiàn)升高的趨勢(shì),其中tanδ的變化更為 明顯。相變導(dǎo)致的氮化硅陶瓷中點(diǎn)缺陷濃度增高是 引起材料介電損耗大幅增加的主要原因。
【氮化硅陶瓷應(yīng)用及用途】
氮化硅在冶金工業(yè)中的應(yīng)用
(1)燒結(jié)氮化硅,其線膨脹系數(shù)較低,因此它有良好的抗熱震性能,僅次于石英和微晶玻璃;
(2)氮化硅的摩擦系數(shù)小并且具有自潤(rùn)滑性,它具有優(yōu)良的耐磨飾性,成為出色的耐磨材料;
(3)氮化硅具有較高的機(jī)械強(qiáng)度,它的高溫蠕變小;
(4)具有優(yōu)良的電絕緣性;
(5)氮化硅具有優(yōu)良的化學(xué)性能,能耐除氫氟酸以外的所有無(wú)機(jī)酸和某些堿的腐蝕。
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