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為加工更細的線寬，EUV(極紫外)光刻技術或電子束光刻技術將替代目前的193nm浸沒式光刻技術。從經濟生產規模出發，采用18英寸(450nm)晶圓和建設單片晶圓全自動生產線或將是新的解決方案。可以想象到5/3nm及以下特征尺寸時，半導體芯片工藝又將進入一個相對全新的時代。
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