鍍金它的使用的范圍比較廣泛，一般比較精細的電子產品里面都能看到到，比如我們日常生活中天天用到的手機和電腦，電腦里面主板CPU上面那些看起來密密麻麻的金黃色針腳，還有顯卡和內存條上面的導電觸片，就是通常說的金手指，為了提高數據傳導性能，都采用了鍍金。

鍍金的分類
鍍金分為兩類，一類呈同質材料鍍金，另一類是異質材料鍍金。同質材料鍍金是指對黃金首飾的表面進行鍍金處理。它的意義是提高首飾的光亮性及色澤。異質材料鍍金是指對非黃金材料的表面迸行鍍金處理，如銀鍍金，銅鍍金。它的意義是欲以黃金的替代被鍍材料的色澤，從而提高首飾的觀賞效果。
鍍金厚度劃分

鍍金質量的優劣是視鍍金層的厚度多少、亮暗為準。現在國際上通行的鍍金首飾標準是;好的鍍金首飾鍍層厚度在10微米一25微米，一般的鍍金首飾鍍層厚度在2微米一3微米，如果在0.18微米以下鍍層的首飾，就不能稱為“鍍金”而稱為“涂金”，它屬于廉價的首飾工藝。
鍍金工藝分類
鍍金按其工藝特點，有無氰鍍金與有氰鍍金兩種。目前，鍍金的質量是有氰(氰化鉀)鍍金為好，它的色澤、附著性、耐磨度都優于無氰鍍金。近年來，隨著電鍍技術的進步，鍍金工藝又有新的突破，過去鍍金首飾只有一種黃金色。現在法國、美國、日本的鍍金首飾有三色，甚至更多的色彩。被稱為三色金的彩色金電鍍，有玫瑰、銀白、金色、黑色、藍色等幾種。?
一般來說，同質鍍金的鍍層不需要鍍得太厚，它只要達到2微米就可以了。異質鍍金的鍍層則應該厚一些。有的國家規定，此類產品鍍金的鍍層達到10微米以上，如英國的強生。麥賽有限公司對鍍金的鍍層則要求達到12.5微米，才為合格。

對于黃金首飾和金條，其回收的一般流程是:電話聯系→會面→稱重→確認成色→確認價格→確認到款→交貨→回收完成。含銀量達90%左右的銀元，撞擊后的聲音低沉柔和，婉轉悠揚；偽品要么清脆刺耳，要么沉悶木呆，共同的特征是余音短促。在敲擊對比時，兩指拿捏幣面的接觸面越少越好，其自然震響的效果。
鍍金作為法定，在商品交換過程中充當一般等價物的作用，執行尺度、流通手段、支付手段、貯藏手段和世界五種職能，這是鍍金作為法定在流通領域中具有的職能。然而，當拋開其作為法定的角色，而作為一種藝術品和文物，鍍金又具有了另一種特殊的職能--收藏。另外，對鍍銀的偽品也可以用擦拭的方法識別，用砂性橡皮反復擦拭，便可剝去其偽裝的外衣。
這一種稱夾心銀元，是假鍍金為常見的一種。內夾銅、鐵、鉛等多種成分，其聲音實短、沉悶且無轉音。了解每個時代、每種的這些時代特征和個別特征，是識別每一時代、每一種古幣的真偽及其的基本方法，如果我們發現一枚與其時代特征和個別特征差得很大的，應特別注意其作偽的確能性，再用其他方法鑒定、就可確定其真偽。

光通信行業鍍金廢料：二手設備與鍍金廢料回收、光纖器件、模塊、通信板卡。如光收發一體模塊，光纖器件和光組件，OLT板卡、光纖收發器、跳纖、冷接子、分光器、傳輸網交換機、核心網交換機、光貓，基站3G、4GBBU、RRU等設備。光衰，束狀尾纖，法蘭頭等通信設備。收購頻譜儀、示波器、誤碼儀、光纖熔接機、切刀、金線球焊接機、壓焊機、封帽、推拉力測試機、等離子清洗設備、高低溫循環箱、工業冰柜、檢漏儀、自動點膠機、噴碼打標機、激光焊線機、顯微鏡等二手生產測試設備。收購各種速率光模塊。如：155M光模塊，622M光模塊，1.25G光模塊，2.5G光模塊，10G光模塊，40G光模塊，100G光模塊400G光模塊。封裝形式不限，如：1*9封裝模塊GBIC光模塊，SFP模塊，SFF模塊，GPON光模塊，EPON光模塊，XFP光模塊，SFP+光模塊，X2光收發模塊,XenPAK光模塊，QSFP光模塊，QSFP28光收發一體模塊，CFP2模塊，CFP4光模塊，CFP8光收發一體模塊，單纖雙向光模塊，CWDM光模塊，DWDM光模塊等。

激光與光電廠家鍍金廢料：各類庫存光電產品、激光器件、光纖器件、光通信模塊、板卡。光電與激光器件剪切下的管腳和邊角料。如LED支架，led剪腳，LCD廢品廢液晶屏，廢觸摸屏，廢導電膜，擦銀布，絲印廢渣，廢導電銀膠，過期銀漿，廢金絲金線，bonding廢絲，OSA管腳，光電管殼，金屬玻璃封接，光電管座，封裝外殼，LD廢品，廢光纖激光器件，廢半導體激光器，廢泵浦激光器，廢激光二極管，廢光電二極管，光組件廢品，廢光伏器件，廢光伏太陽能電池片，光電鍍膜鍍金廢料，廢ito靶材，貴金屬靶材，含金鎢舟，鉬舟，高頻晶體管，鍍金熱沉，鍍金基座，鍍金基片，泵浦激光器，半導體激光器，硅光電子，量子器件，廢to-can，廢TOSA。

鍍金回收含金硅質電子廢件處：
電子工業產品和設備中廢棄的含金硅質元件，由于硅的存在而妨礙回收其中的金。為了采用濕法工藝回收金，可先經硅腐蝕劑處理，使燒結在硅片上的金脫落分離，再收集起來送提純。
硅腐蝕劑分酸性的和堿性的。酸性硅腐蝕劑按硝酸：氫氟酸為1∶6～9配制，再稀釋至2～3倍，于室溫下浸泡除硅。堿性硅腐蝕劑使用10%～30%NaOH液，加熱至80～100℃浸煮元件除硅。