金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射

磁控濺射鍍膜靶材：
金屬鋯濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，化鉛靶材(PbAs)，化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）

各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。
市場概況
日本。就美國而言．約有50家中小規模的靶材制造商及經銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，的一些國家和地區，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產業發展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產技術，國內一線生產制造靶材的已經達到國外的技術水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

可根據用戶需要制作。
鋯盤管換熱器:
規格；標準規格，功率有1.5KW-50KW,
形態；根據加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過熱保護裝置。
用途；適用于鈦無法勝任的酸、堿介質中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產中，鋯的應用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經久耐用足以彌補成本費。

鋯換熱器產品介紹:
現在的搪瓷釜由于介質的腐蝕性、反應條件忽冷忽熱等問題，總會出現這樣那樣的搪瓷層損壞。一旦出現爆瓷現象,搪瓷面的損壞會迅速擴大，繁瑣的修補,停產,安全事故及環境污染等不可預計的損失一直困擾著國內眾多化工企業.
取代搪瓷釜的金屬鋯盤管換熱器,解決化工行業所使用的搪瓷釜爆瓷,搪瓷面的損壞，不易修復(或者修復成本高)而報廢的成本問題.由于金屬鋯材優良的導熱性和強耐腐蝕性,在加熱,冷卻兩道工序上有效的縮短了生產時間,并且它特有的強耐腐蝕性這一特點,從而了生產中不被各種工況的腐蝕性所腐蝕的要求,在生產旺季為生產出貨,創造了寶貴的時間,并且提高了產量,真正實現換熱設備零維護.
本產品已經在國內,外大型農藥化工,醫藥化工,石化等行業投入使用,反應良好,歡迎有此需求,有此困擾的客戶來電咨詢,洽談,我公司將在時間回復,配合.給予設備,技術上的支持.