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于20.5%和23%4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于18.4%和20%5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低于13%、16%、15%、15%（五）晶硅組件衰減率首年不2.5%，后續每年不0.6%，25年內不17%；薄膜組件衰減率首年不5%，后續每年不0.4%，25年內不15%三、資源綜合利用及能耗（一）光伏制造企業和項目用地應符合已的土地使用，嚴格保護耕地，節約集。
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