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銀微粒的大小與銀漿的導電性能有關。在相同的體積下，微粒大，微粒間的接觸幾率偏低，并留有較大的空間，被非導體的樹脂所占據，從而對導體微粒形成阻隔，導電性能下降。反之，細小微粒的接觸幾率提高，導電性能得到改善。微粒的大小對導電性的影響，從上述情況來看，只是一種相對的關系。由于受加工條件和絲網印刷方式的影響，既要滿足微粒順利通過絲網的網孔，又要符合銀微粒加工的條件，一般粒度能控制在3～5μm 已是很好，這樣的粒度僅相當于250目普通絲網網徑的1/10～1/5，能使導電微粒順利通過網孔，密集地沉積在承印物上，構成飽滿的導電圖形。
導電銀漿按燒結溫度不同，分為高溫銀漿，中溫銀漿和低溫銀漿。其中高中溫燒結型銀漿主要用在太陽能電池，壓電陶瓷等方面。低溫銀漿主要用在薄膜開關及鍵盤線路上面。
玻璃粉兩個作用。一，腐蝕晶硅，通過腐蝕SiNx，形成導電通道。二，在漿料-發射極界面間作為傳輸媒介。
導電銀漿分為兩類：
①聚合物銀導電漿料（烘干或固化成膜，以有機聚合物作為粘接相）；
②燒結型銀導電漿料（燒結成膜，燒結溫度>500℃，玻璃粉或氧化物作為粘接相）。銀粉照粒徑分類，平均粒徑<0.1μm(100nm)為納米銀粉； 0.1μm< Dav（平均粒徑） 10.0μm為粗銀粉。構成銀導體漿料的三類別需要不同類別的銀粉或組合作為導電填料，甚至每一類別中的不同配方需要不同的銀粉作為導電功能材料，目的是在確定的配方或成膜工藝下，用少的銀粉實現銀導電性和導熱性的大利用，關系到膜層性能的優化及成本。
