鍍金有什么用？鍍金廣泛應用于電子工業中精細儀器儀表、印刷板、集成電路、射頻微波，光電、激光、連接器、電腦周邊器件等領域。由于鍍金有的導電功用并易于焊接，耐高溫和耐腐蝕，并具有必定的耐磨性(如摻有少量其他元素的硬金)。因此在各類工業中得以廣泛應用。
金是化學上安穩的金屬，它具有超卓的裝飾性、耐蝕性、減磨性、抗變色和抗高溫氧化的才調，還具有接觸電阻小和的釬焊性。由于它的產值很少，所以在運用它時，要考慮如何以減少它的量來極限地發揮它的性質。

鍍金回收方法：物資再生回收運用氧化焙燒法從廢貼金文物銅回收金。廢貼金文物銅放入特制焙燒爐內，于1000C恒溫氧化焙燒30分鐘，掏出放入水中，貼金層附在氧化銅鱗片上與銅基體脫離。然后用稀硫酸溶解，溶解渣分別提純黃金。此法特征焙燒時廢氣。用此法處理廢文物銅300公斤，回收黃金1.5公斤。金回收率98%，基體銅回收率95%，副產品硫酸銅可作殺蟲劑。從廢電子元件中回收金對廢元器件上的金鍍層溶蝕，用鐵置換或亞硫酸鈉恢復回收金。用硫酸酸化，氯酸鉀氧化再生碘。物資再生運用研究所研究出電解退金的新工藝。選用硫脲和亞硫酸鈉作電解液，石墨作陰極板，鍍金廢物作為陽極進行電解退金。通過電解，鍍層上的金被陽極氧化為Au后即與硫脲構成絡陽離子Au[cs(NH2)]2，隨即被亞硫酸鈉恢復為金，沉于槽底，將含金沉淀物分別提純取得粉。

提供鍍金料回收報價
電子和半導體工業生產中，很多電子元器件因為性能要求都需要鍍金，鍍金是一種常見的表面處理工藝，用少量的金就可以達到電子器件的性能要求，市面上有大量的廢電子器件和半導體工業廢料，都是有鍍金或者鍍銀的，那么怎么知道電子行業的鍍金價格是多少？
報價流程
我們會根據鍍金的類型取樣檢測，然后依據檢測的每公斤鍍金廢品中的含金量，結合當日的國際金實時行情得出準確的價格。嘉財在行業有20年的經驗，能為客戶提供與合理的報價，因為鍍金是性相當高的產品，所以請廣大初次的客戶先寄樣品給我們技術部的工程師檢測，我們工程師會在有結果之后跟據客戶產品情況馬上給客戶相對應該的價格。

報價流程：客戶聯系預約→客戶提供關于鍍金產品的基底材料和產品實物圖片→我們根據材料特性制定檢測方案→客戶提供樣品→安排檢測→8小時內出檢測結果→依據檢測含量結合當日國際黃金實時行情，報準確的價格給您，完成報價流程。

可報價鍍金料產品
鍍金產品回收：如鍍金電子腳、鍍金邊角料、芯片、半導體器件、集成電路、電子管、晶體管、射頻電子器件、高頻器件、開關元器件、薄膜電子、薄膜陶瓷電路、薄膜電阻、薄膜衰減器、微波器件、放大器、光纖放大器、光纖器件、環形器、隔離器、光電器件、光電二極管、LED、LCD、觸摸屏、LD、激光器、通信器件、有源器件、無源器件、模塊、光模塊、IC、SIM卡、智能卡、電聲器件、電磁器件、光伏器件、太陽能電池片、PCB、柔性線路板、電阻、鉑銠電阻、熱電偶、繼電器、電容、芯片電容、傳感器、連接器、插針,頂針,探針、耦合橋、功分器、濾波器、傳輸線、環形器、隔離器、電阻器、衰減器、電子材料、五金電子、導電銀膠、銀漿、金絲,金線、導電膜、銀焊條、電極、合金電極、銀電極、銀焊條、玻纖漏板、噴絲頭、漏嘴等。
部分價格清單廢舊電腦主板類：主板21000每噸，單橋板11000每噸，無橋單芯片板7000每噸，大鋁塊顯卡8600每噸，小鋁塊顯卡10000每噸，帶橋小顯卡23200每噸，聲卡11000每，網卡11000每噸，內存條90一公斤，cpu0.7元至1元一個，路油器板13600每噸，主機硬盤4000每噸，主機電源4000每噸，主機光驅2元一個，筆記本硬盤和光區1.5元一個，洗金橋片ic100至280一公斤，電子廠邊腳料依據含量定價，以上板子根據行情報價回收，貨多量大者價格還可協商上漲。

激光與光電廠家鍍金廢料：各類庫存光電產品、激光器件、光纖器件、光通信模塊、板卡。光電與激光器件剪切下的管腳和邊角料。如LED支架，led剪腳，LCD廢品廢液晶屏，廢觸摸屏，廢導電膜，擦銀布，絲印廢渣，廢導電銀膠，過期銀漿，廢金絲金線，bonding廢絲，OSA管腳，光電管殼，金屬玻璃封接，光電管座，封裝外殼，LD廢品，廢光纖激光器件，廢半導體激光器，廢泵浦激光器，廢激光二極管，廢光電二極管，光組件廢品，廢光伏器件，廢光伏太陽能電池片，光電鍍膜鍍金廢料，廢ito靶材，貴金屬靶材，含金鎢舟，鉬舟，高頻晶體管，鍍金熱沉，鍍金基座，鍍金基片，泵浦激光器，半導體激光器，硅光電子，量子器件，廢to-can，廢TOSA。

鍍金回收含金硅質電子廢件處：
電子工業產品和設備中廢棄的含金硅質元件，由于硅的存在而妨礙回收其中的金。為了采用濕法工藝回收金，可先經硅腐蝕劑處理，使燒結在硅片上的金脫落分離，再收集起來送提純。
硅腐蝕劑分酸性的和堿性的。酸性硅腐蝕劑按硝酸：氫氟酸為1∶6～9配制，再稀釋至2～3倍，于室溫下浸泡除硅。堿性硅腐蝕劑使用10%～30%NaOH液，加熱至80～100℃浸煮元件除硅。