關鍵詞 |
楊浦過期氧氯化鋯回收,廣安過期氧氯化鋯回收,宣武過期氧氯化鋯回收,寶山過期氧氯化鋯回收 |
面向地區 |
全國 |
金屬鋯、高純鋯、海綿鋯,碘化鋯、結晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐,鋯盤管,鋯冷卻管,鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅,鋯鐵,鋁鋯中間合金等。
3)結晶鉿,高純鉿,海綿鉿,鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4)金屬鉭,鉭板,鉭絲,鉭棒,鉭靶等。
5)金屬鈮,鈮錠,鈮板,鈮棒,鈮板,鈮粉等。
金屬靶材:
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射
磁控濺射鍍膜靶材:
金屬鋯濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材 ,氮化物陶瓷濺射靶材 ,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材 ,硅化物陶瓷濺射靶材 ,硫化物陶瓷濺射靶材 ,碲化物陶瓷濺射靶材 ,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),化鉛靶材(PbAs),化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有:
濺射靶材(純度:99.9%-99.999%)
磁控濺射原理:鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種:支流濺射和射頻濺射,其中支流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
名 稱:鋯管
規 格:Φ8.0—89.0(外直徑)╳ 1.0—10.0(壁厚)╳ L(長)mm
狀 態:退火
主要性能: 抗拉強度HB>379Mpa 導熱率=0.040Cal/cm2 (可以彎成需要的形狀)
應用領域:油箱盤管、殼管熱交換器、熱虹吸管、蒸發器、卡口加熱器和人造絲絲囊、管殼式換熱器,列管式換熱器,加熱管,管式預熱器、化工設備反應釜盤管等。
例如:在蒸氣壓力為239000Pa,溫度為373K,管中流體含5%硫酸、3%、6%硫酸鈉的條件下,用鋯盤管代替鉛盤等,使用壽命在10年以上。
磁控濺射靶材:鋯靶,鉿靶
磁控濺射靶材種類:
金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材,硅化物陶瓷濺射靶材,硫化物陶瓷濺射靶材,碲化物陶瓷濺射靶材,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),化鉛靶材(PbAs),化銦靶材(InAs)。 [2]
磁控濺射原理:
在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,如今,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
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