穩(wěn)定性氧化鋯
外　　觀： 白色粉末
性　　質(zhì)： 、無(wú)味，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率低，耐熱沖擊性好。
用　　途： 適用于制造各類機(jī)械部件、切削工具、、結(jié)構(gòu)陶瓷、電子陶瓷、生物陶瓷、耐火材料、光通訊器件、氧傳感器、固體氧燃料電池等。

深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業(yè)發(fā)達(dá)區(qū)龍華。公司產(chǎn)品延續(xù)深圳市新興金屬科技有限公司，創(chuàng)建于2005年，向PCB電鍍、化工廠家、化工設(shè)備，真空離子鍍膜、吸氣劑、鉻鋯銅合金、磁性材料，鋁鋯中間合金，等離子切割等領(lǐng)域的廠家供應(yīng)有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產(chǎn)品：
1）金屬鈦、結(jié)晶鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦卷帶、鈦箔、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結(jié)晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應(yīng)釜罐，鋯盤管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結(jié)晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
公司和內(nèi)地、臺(tái)灣、韓國(guó)、泰國(guó)的許多企業(yè)建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系。公司秉誠(chéng)以誠(chéng)信為本、質(zhì)量、用戶至上的經(jīng)營(yíng)理念，堅(jiān)持“誠(chéng)實(shí)守信，精益求精”的精神宗旨，竭誠(chéng)為廣大廠商提供的產(chǎn)品和服務(wù)，確保公司與客戶的持續(xù)發(fā)展。

主要應(yīng)用
編輯
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類
根據(jù)形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

金屬鋯靶材，金屬鉿靶，金屬鈦靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。

可根據(jù)用戶需要制作。
鋯盤管換熱器:
規(guī)格；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，功率有1.5KW-50KW,
形態(tài)；根據(jù)加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過(guò)熱保護(hù)裝置。
用途；適用于鈦無(wú)法勝任的酸、堿介質(zhì)中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產(chǎn)中，鋯的應(yīng)用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經(jīng)久耐用足以彌補(bǔ)成本費(fèi)。

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。