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將有新聞也將使NAND閃存保持在****。具體來說，這涉及3D閃存，現在該產品已開始量產。三星的V-NAND閃存就是一個例子。它采用向上/向下/橫向結構，其中存儲模塊垂直堆疊，為流行的固態介質提供了全新的面貌。
分析師表示，三星，東芝和美光的3D NAND閃存芯片有望在2014-2015年間進入初期生產階段，未來幾年我們將看到其商業版本。3D NAND的成功將取決于具有閃存的新產品在市場上的采用，這將決定何時準備將其用于商業規模生產的中心舞臺。
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